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消息称:长江存储已交付192层3DNAND闪存样品,年底推出产品

分类:新产品 | 时间:2022-5-18 09:35 | 阅读:234

摘要: 外媒报道称,国产存储芯片大厂长江存储近期已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出产品。
外媒报道称,国产存储芯片大厂长江存储近期已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出产品。


此外,由于长江存储128层3D NAND闪存工艺良率已改善至较好水平,长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。预计到2023年底,长江存储月产量可能超过20万片,全球市场份额有望达到7-8%。


我们再结合今年4月19日长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023,意味着国产存储芯片,在技术水准真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。因为国际大厂的3D NAND闪存当前最高量产层数也是192层,美光两早两天推出了232层,要到年底或更晚的时间才会量产交付。

而大厂的NAND闪存最高规格也就是UFS3.1,UFS4.0都还只提概念,预计要到年底甚至更晚时间才能交付。长江存储能推出UFS3.1加上192层NAND闪存,就说明国产NAND存储芯片的技术已经接近世界顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的,在2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品,于2019年推出了64层TLC技术,后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术,跳过了96层这个阶段,在2021全面进入到128层堆叠。并且从容量、位密度和I/O速度等核心指标上看,Xtacking的技术性能甚至比大厂的指标略胜一筹。

如今长江存储迈入192层,也就意味着国闪的NAND闪存,正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。仅用5年多时间,国产闪存就从0起步,从技术层面追上了国际顶级大厂,但是在产能和市场份额上还需努力。按照机构的数据,2021年,长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%,预计到再到2022年预计的7%。

来源:互联网


目前长江存储两期工程,到2025年的总产能也不过30万晶圆/月,相比三星、铠侠等公司来说还是低不少,特别是这几年全球半导体厂商都在扩大产能,2021年全球产能应该会超过200万晶圆/月,未来几年有望超过250万晶圆/月。

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来自: 互联网
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