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解析苹果Vision Pro R1芯片:采用台积电扇出型多芯片封装
苹果2024年正式发售其首款增强现实(AR)头显产品Vision Pro,其搭载M2处理器以及一颗全新的R1芯片组,起售价达3499美元。研究机构TechInsights对R1芯片进行拆解分析,并表示其采用台积电的Fan-out扇出型封装技术。 ...
分类:新技术
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时间:
2024-3-11 16:53
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阅读:103
天玑9300率先通过Wi-Fi 7认证!联发科持续拓展全球Wi-Fi 7生态系统 ...
作为全球率先采用Wi-Fi 7无线连接技术的企业之一,联发科携首批获得完整Wi-Fi 7认证的Filogic系列芯片组及产品在CES 2024上展出。预计不久之后,搭载联发科方案的更多Wi-Fi 7新品将问世。 ...
分类:新技术
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时间:
2024-2-21 09:48
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阅读:118
2024年,这些半导体技术值得期待
即将到来的2024年,一些新的半导体技术将取得重要突破,例如背面供电芯片、硅光子超高速芯片、量子芯片、光刻胶金属氧化物抗蚀剂等。虽然这些技术都是半导体细分领域的微创新,但它们的一小步可能跟整个半导体产业链 ...
分类:新技术
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时间:
2023-12-19 15:12
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阅读:238
全球首颗!清华大学研制出忆阻器存算一体芯片
清华大学集成电路学院教授吴华强、副教授高滨团队基于存算一体计算范式,研制出全球首颗全系统集成的、支持高效片上学习(机器学习能在硬件端直接完成)的忆阻器存算一体芯片。相关成果已发表于最新一期的《科学》。 ...
分类:新技术
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时间:
2023-10-16 14:29
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阅读:305
Meta公开首款自研AI芯片,采用台积电7nm制程
近日,Meta在官网发布公告,为了满足未来十年AI算力急剧增长的需求,Meta开始大力布局下一代AI软硬件基础设施。其中包括首款自研第一代AI推理加速器芯片MTIA v1,并公布了各种技术细节。 ...
分类:新技术
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时间:
2023-5-23 16:10
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阅读:465
铠侠和西部数据正研究300层3D NAND,并将展示210层8-Plane 3D NAND
通过MILC技术,在超过300层的垂直存储孔中,形成14微米长的类通心粉硅通道。据报道,这种实验性3D NAND还利用尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷,从而提高单元阵列性能。 ...
分类:新技术
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时间:
2023-5-6 11:55
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阅读:684
瑞萨将在Embedded World展示基于Arm® Cortex®-M85处理器Helium技术的首款AI方案 ...
3月9日,半导体解决方案供应商瑞萨宣布,将在基于Arm Cortex-M85处理器的MCU上首次现场演示人工智能(AI)和机器学习(ML)运行,展示其在应用Cortex-M85内核和Arm Helium技术于AI/ML的丰富经验。 ...
分类:新技术
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时间:
2023-3-9 16:25
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阅读:705
中国研发团队在SOT-MRAM取得重要进展
当前,全世界主要半导体研发机构和企业都在SOT-MRAM刻蚀工艺上开展了大量工作,然而,SOT-MRAM的刻蚀工艺依然是业界面临的一项重要技术挑战。近日,中科院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域取得新进展。 ...
分类:新技术
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时间:
2023-3-8 10:06
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阅读:473
瑞萨电子推出业界首款用于动态软件开发且基于云的系统开发工具Quick-Connect Studio . ...
3 月 1 日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出基于云的全新突破性在线物联网系统设计平台Quick-Connect Studio,帮助用户能够以图形方式构建硬件和软件,从而快速验证原型并加速产品开发。 ...
分类:新技术
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时间:
2023-3-1 11:13
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阅读:572
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管
据介绍,复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程,实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料,二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。 ...
分类:新技术
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时间:
2022-12-13 09:29
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阅读:1239
Yole:中国碳化硅产业生态正加速发展
外媒指出,海外厂商对中国本土供应链的看法,很大程度上是因为中国国内投资主要集中在SiC晶圆上,而不是SiC MOSFET等器件级开发,Dogmus也表示,“那些在中国建设 SiC产能的器件厂商尚无法与欧盟和美国的厂商竞争。 ...
分类:新技术
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时间:
2022-12-8 16:37
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阅读:568
世界上最高分辨率的光刻系统来了,可制造0.7纳米芯片
美国原子级精密制造工具的纳米技术公司Zyvex Labs发布公告,已推出世界上最高分辨率的光刻系统“ZyvexLitho1“,其使用电子束光刻技术,实现了768皮米(即0.768纳米)的原子级精密图案和亚纳米级分辨率。 ...
分类:新技术
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时间:
2022-9-27 11:48
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阅读:1212
南京大学科研团队在下一代光电芯片制造领域获重大突破!
南京大学科研团队发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术,将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。 ...
分类:新技术
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时间:
2022-9-19 14:05
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阅读:681
华人科学家发现立方砷化硼,或是迄今“最佳”半导体材料
日前,来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其它机构的科研团队,发现了迄今为止最佳半导体材料。该材料名为立方砷化硼,它既能为电子和空穴提供高迁移率,又有优良的电导率,而且还具有极高的导热特性。 ...
分类:新技术
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时间:
2022-7-25 16:44
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阅读:1022
中科院微电子所新型垂直互补场效应晶体管(CFET)研究取得进展 ...
中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心殷华湘/吴振华研究团队日前在国际学术期刊发表研究成果,利用DTCO(设计工艺协同优化)工程思想全面探索了互补场效应晶体管(CFET)的器件架构优势。 ...
分类:新技术
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时间:
2022-7-18 10:31
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