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东芝推出两款汽车用40V N沟道功率MOSFET

2018-4-13 16:27| 发布者: 半导体器件应用网| 查看: 61 |来自: 半导体器件应用网

摘要: 东芝已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。 ... ... ...

东芝已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。


这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造,采用小型低电阻封装,具备低导通电阻,因此有助于降低导通损耗。与东芝上一代设计(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声,有助于降低EMI(电磁干扰)。


SOP Advance (WF)封装采用“可沾锡侧翼”(wettable flank)端子结构,支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)


应用场合:

电动助力转向系统(EPS)

负载开关

电动泵


特点:

由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装,实现了0.79mΩ的最大导通电阻(RDS(ON)最大值)。

低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。

采用可沾锡侧翼端子结构,支持小型低电阻封装。


主要规格:

(除非另作说明,@Ta=25°C)

东芝推出两款汽车用40V N沟道功率MOSFET



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