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对抗内存跌价 三星SK海力士美光削减28%内存资本开支

2019-7-15 18:17| 发布者: simonxly| 查看: 85 |来自: 快科技

摘要: 最近内存市场(闪存也一样)出现了多种复杂因素,除了全球贸易这个大环境因素之外,还有内存不断跌价、日韩半导体材料纠纷等问题,原本预期Q3季度内存还会继续跌15%的价格,但上周内存现货价格出现了10个月来首次上 ...

三星、SK海力士、美光三家公司垄断了全球95%的内存产能,内存跌价已经让这三家公司的业绩大幅下滑,三星上季度盈利预计暴跌50%以上,他们显然不会坐视内存价格继续下跌,已经开始从产能上调节市场供应。

根据IC Insights的报告,2019年DRAM市场上的资本开支将会大幅减少,全年预计资本开支170亿美元,相比2018年降幅高达28%,去年内存市场资本开支高达240亿美元,相比2017年的160亿美元大涨了50%。

内存资本开支是厂商用于购买生产设备、生产材料等维持产能所需的投资,削减资本开支意味着产能会下降,导致市场上的内存供应会减少。

目前只有美光公司公布过具体的产能削减计划,其中内存削减产能5%,NAND闪存削减从原本计划的5%扩大到了10%,三星、SK海力士两家韩国公司没有公布过明确的产能削减投资,此前三星还在否认削减NAND闪存产能。

对于价格走势,IC Insights预计今年全球贸易不确定性因素依然存在,所以内存价格下半年依然会疲软,但是由于各大公司2019年资本开支大幅削减,有利于市场消化库存,2020年DRAM内存供需就会平衡

近日,日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制,重点针对韩国的半导体、面板等电子产业。这对韩国半导体产业产生了巨大影响,目前已缩减NAND Flash投片,减产幅度逾二成。若日韩贸易谈判再僵持,下季DRAM合约价也将止跌反弹,出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。

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