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集微网消息（文/茅茅），三星今天正式宣布其 8nm LPP 制程工艺的技术验证工作已完成，并将在不久之后大规模量产。同时三星表示，相比于 10nm 制程，全新 8nm 制程的芯片不仅面积能缩减 10%，功耗也能降低10%。该工艺正式投产后，将会定位于高端旗舰市场。 “8nm LPP工艺的验证工作比我们计划中提前了 3 个月完成，当下我们也正在开始量产工作，“三星半导体市场部副总裁 Ryan Lee 表示，“三星半导体将会在将来进一步拓展产品线，以保持我们客户和市场所需要的自身充足的竞争优势及优越生产工艺。” 值得注意的是，高通副总裁 RK Chunduru 也表示：“ 8nm LPP 将采用经过验证的 10nm 工艺技术，同时提供比当前 10nm 产品更好的性能和可扩展性，因此速度也会快速增长。” 同时，三星官方表示，新的 8nm LPP 工艺是该公司在 7nm 工艺之前最先进也最有竞争力的工艺，并且也会很快投入市场。至于具体商用时间，三星表示会在随后于全球各地举行的三星半导体论坛上与 7nm EUV 光刻工艺进展一同公布。 此前有报道称，三星确认了包含 EUV (extreme ultra violet，远紫外区) 光刻技术的 7nm LPP 制程已经提上日程，目标是将在明年的下半年开始初步试产。或许是为了平衡量产问题，三星选择又在中间加入了过渡的 8nm。与之类似的是，先前三星也曾在 14nm 和 10nm 之间加入 11nm，预计用于明年的次旗舰芯片。 而作为三星最大竞争对手的台积电方面，在今年 3 月份举行的台积电供应链管理论坛上，台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，台积电目前 7nm 制程正在量产认证，预计 2018 年实现量产。同时，台积电还被爆出在和联发科合作试产 7nm 制程的 12 核心芯片，但是具体实际能够投放市场的时间还说不准。 与三星策略不同的是，三星将率先 7nm 制程导入极紫外光（EUV）微影设备，但台积电则决定在 5nm 才会全数导入，凸显台积电采取渐进式，在 7nm 制程采取多重曝光显影搭配极紫外光的混搭模式，生产效率和成本仍远优于三星。 目前导入台积电 7nm 制程的芯片厂相当多，除了高通，其他还包括苹果、英伟达、AMD、海思、联发科、赛灵思等等。台积电强调，目前 7nm 制程已有十二个产品设计定案，预计2018年量产。 |
