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SK 海力士 HBM4 采用第六代 1c 制程 DRAM

分类:技术 | 时间:2024-5-17 10:03 | 阅读:41

摘要: 韩国存储大厂 SK 海力士今年 IEEE IMW 国际存储研讨会,分享 HBM4E 存储开发周期缩短到一年,也介绍了更多细节。SK 海力士技术员 Kim Kwi Wook 表示,SK 海力士计划第六代 10 纳米级 1c 制程 32Gb DRAM 裸片构建 HBM ...
韩国存储大厂 SK 海力士今年 IEEE IMW 国际存储研讨会,分享 HBM4E 存储开发周期缩短到一年,也介绍了更多细节。SK 海力士技术员 Kim Kwi Wook 表示,SK 海力士计划第六代 10 纳米级 1c 制程 32Gb DRAM 裸片构建 HBM4E 存储器。

三大存储厂商均尚未量产第六代 10 纳米级 1c 制程 DRAM 颗粒,但三星、SK 海力士首批六代 10 纳米级 1c 制程 DRAM 预定今年量产。美光稍晚,要到 2025 年,新 DRAM 颗粒有望使密度和能效更改进。

SK 海力士 HBM3E 采用第五代 10 纳米级 1b 制程 DRAM,尚未确认 HBM4 是否更新 DRAM 裸片制程。韩媒 The Elec 报导,SK 海力士将 HBM4 量产时间提前到 2025 下半年,沿用第五代 10 纳米级 1b 制程更符合研发节奏。

主流 HBM3E 产品均采用 24Gb DRAM 颗粒,HBM3E 可因八层堆迭达 24GB 单堆迭容量,如果 12 层堆迭,HBM3E 堆迭可达 36GB。将来 HBM4E 更新到 32Gb DRAM 裸片后,12 层堆迭就能达 48GB 单颗容量,16 层版达 64GB 超大规模,为 AI 用例创造更多应用可能场景。

Kim Kwi Wook 预计,HBM4E 可较 HBM4 频宽提升 40%、密度提升 30%,同时能效也提高 30%。谈到混合键合看法,Kim Kwi Wook 认为仍有良率不佳问题,SK 海力士下代 HBM4 采混合键合可能性不大。

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