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美光本周在财报电话会议中宣布，已开始向客户提供采用新一代1γ（1-gamma）制程、导入极紫外光（EUV）微影技术的首批LPDDR5X 存储器样品。这也显示美光已正式进入EUV DRAM 制程时代。 美光执行长Sanjay Mehrotra 指出，目前1γ DRAM 技术节点上进展非常顺利，良率爬升速度甚至超越1ß（1-beta）节点纪录。公司在本季完成多项关键产品里程碑，包括首批基于1γ 制程的LPDDR5 DRAM 认证样品出货。 1γ 制程是美光第六代10 纳米级制程节点，与前一代1ß 相比功耗降低20%、效能提升15%。此外，1γ 的位元密度增加30%，随着良率提升有望进而降低生产成本。 值得注意的是，这批基于1γ 制程的LPDDR5X 非美光首款使用此技术的产品。美光今年也推出16Gb DDR5-9200 存储芯片，主打更高效能与更低功耗，不过还没公布产品最新进展。 展望未来，美光计划全面导入第六代10 纳米级1γ 制程，涵盖DDR5、LPDDR5X（最高达10.7 GT/s）、GDDR7 及资料中心相关存储产品线。 Mehrotra 强调，将在所有DRAM 产品线上导入1γ 制程，发挥此领先技术的最大效益。 目前美光是最后一个采用EUV 微影的主要DRAM 制造商。虽然美光尚未透露有多少层使用EUV 技术，但推测可能主要用于原本需繁复多重曝光的关键层。美光已在日本启用首台EUV 设备，并开始量产1γ DRAM，未来也将在日本与中国台湾扩大EUV 产能。 |
