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HBM4 已成为存储大厂的新战场，三星正藉由大规模的投资缩小与当前市场龙头SK 海力士的差距。 ZDNet Korea 报导，三星计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM (第六代10 纳米等级) 制程产线，投资年底启动。 相较竞争对手SK 海力士和美光选择1b DRAM (第五代10 纳米等级) 制程技术做为HBM4 的基础技术，三星则更大胆押注更先进的1c DRAM 制程技术，表明三星有信心提升1c DRAM 制程技术的良率。此外，报导还指出，三星还考虑在2025 年底前将华城17 号生产线从1z DRAM (第三代10 纳米等级) 制程技术转为1c DRAM 制程技术生产，以进一步扩大产能。 三星2025 年稍早已在平泽第四园区(P4) 启动首条1c DRAM 制程技术产线，目标月产能为3 万片晶圆。之后若继续扩产顺利，月产能将有望提升至4 万片。 韩国《朝鲜日报》报导，三星12 层堆叠的HBM4 的关键4 纳米逻辑芯片，试产达成超过40% 良率。 TrendForce 预测，受强劲市场需求的推动，2026 年HBM 总出货量将突破300 亿GB。新HBM4 将在2026 下半年超越HBM3e，成为市场主流解决方案。 |
