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SK 海力士全球首发最高层238层4D NAND闪存

分类:数据 | 时间:2022-8-3 10:08 | 阅读:49

摘要: 基于其4D NAND闪存技术,SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存,进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新,并不断突破技术瓶颈。 ...
SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。

近日,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示:“自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来,时隔仅1年7个月,SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积,其意义更加非凡 。”

NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit)可分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等规格。单元信息存储容量越大,意味着单位面积可以存储的数据越多。

当天,SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会(Flash Memory Summit 2022)*上首次亮相了238层NAND闪存新产品。在峰会主题演讲中,崔正达SK海力士NAND闪存开发担当说道:“基于其4D NAND闪存技术,SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存,进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新,并不断突破技术瓶颈。”

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