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7月4日，美光科技日本广岛工厂扩建项目正式破土动工。该项目总投资1.5万亿日元（约合93亿美元），新建产线将重点生产高带宽内存（HBM）等高端先进存储芯片，精准匹配全球AI算力硬件高速增长带来的存储市场需求。 据企业现场公布的规划信息，此次广岛工厂扩建项目的核心产品为HBM高带宽内存。该芯片是英伟达AI显卡的核心配套元器件，直接决定大模型训练与推理服务器的算力承载上限。厂区新增设备及产线预计2028年夏季实现量产交付。日本经济产业省为该项目提供最高5000亿日元的产业补贴，可覆盖项目总投资的三分之一。日本经济产业大臣出席本次奠基仪式，并明确广岛是日本境内唯一的DRAM制造基地，具备极高的半导体产业战略价值。 美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉在奠基仪式现场表示，美光首款实现量产的HBM晶圆，正是产自广岛工厂。该厂区依托日本完善的半导体材料与设备配套供应链，是美光全球AI存储产能布局的核心枢纽。广岛工厂的前身，是美光2013年收购尔必达存储后承接的成熟生产基地。本次扩建完成后，该工厂将专门面向全球AI芯片企业供应新一代HBM产品，同时为自动驾驶、高端数据中心领域提供配套存储芯片量产支撑。 |
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