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外资估最快明年第二季度DRAM价格出现反弹

分类:市场 | 时间:2022-8-2 09:54 | 阅读:570

摘要: 日系外资出具最新报告指出,随着消费需求疲软、库存调整,第三季记忆体价格跌幅扩大至近 10%;伴随出货量成长较低,预计下半年记忆体商的盈利将出现调整状况。 ...
日系外资出具最新报告指出,随着消费需求疲软、库存调整,第三季记忆体价格跌幅扩大至近 10%;伴随出货量成长较低,预计下半年记忆体商的盈利将出现调整状况。

日系外资预估,由于设备准备时间和技术迁移缓慢,如果 2023 年第二季价格出现反弹,2023 年上半年 DRAM 供应将转而紧张。同时,记忆体制造商控制资本支出,有助于投资人情绪在今年下半年获得改善。对此,重申对该产业、记忆体制造商的积极看法,包括美光、SK 海力士。因为需求疲软、库存水准较高,7 月 PC DRAM 合约价格月近15%,跟 6 月相比,7 月 PC DRAM 现货价格下降 超11%,略高于合约价格的程度。

另一方面,伺服器 DRAM 价格 7 月下跌 2.3%。受到消费市场的需求停滞和库存水准较高,消费型 DRAM 价格也月减 0.8%。至于 NAND、MLC 和 SLC 晶片合约价格月减 3-4%,SLC 晶片合约价格月减 0.3%,MLC 晶片合约价格 7 月也下跌 0.4%。

日系外资指出,尽管供应商继续削减产能,但随着全球不确定因素持续影响,需求减弱和库存过剩推动 7 月价格下跌。目前较大风险在于疫情封控、俄乌战争,以及全球供应链问题得不到解决,不过预估明年价格有望反弹,DRAM 供应转而紧张,整体来说还是看好记忆体产业。

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