美光首款232层NAND Flash开始出货年底量产

分类：产品 | 时间：2022-7-27 11:34 | 阅读：623

摘要: 据经济日报报道，美商存储器大厂美光周二（26日）表示，能支持消费类电子产品密集资料需求的最先进内存232层堆叠NAND闪存开始出货。

据经济日报报道，美商存储器大厂美光周二（26日）表示，能支持消费类电子产品密集资料需求的最先进内存232层堆叠NAND闪存开始出货。

美光数据中心储存部门总经理Alvaro Toledo表示，这款新芯片的传输速率比美光上一代NAND芯片高出50%。Toledo指出，这款芯片具有业界最高的面密度，16个232层NAND可封装成约邮票三分之一的大小，拥有更大的容量，可达2TB。

这款闪存预计2022年底开始量产，最初将以组件形式通过Crucial英睿达SSD消费产品线向客户发货。

上一篇：功耗降低20%！电装开发新型功率半导体器件 下一篇：SEMI:Q2全球硅晶圆出货面积创历史新高

来自: 互联网

官方微信

手机版

商务合作：marketing@superic.com

联系电话：400-816-1216

		自动登录	找回密码
密码			立即注册