首页
Portal
快讯
芯闻
社区
BBS
文库
导航
商城
扫码查看手机版
搜索
搜索
热搜
报告
方案
电视
电源
MTK
Sigmastar
文章
用户
用户名
Email
自动登录
找回密码
密码
登录
立即注册
简单一步 , 微信登陆
登录
注册
首页
Portal
快讯
芯闻
社区
BBS
文库
导航
商城
请
登录
后使用快捷导航
没有帐号?
立即注册
道具
勋章
任务
留言板
设置
我的收藏
|
退出
SuperIC社区_
›
首页
›
快讯
›
行业
›
查看内容
行业
伯恩斯坦:Q3存储价格涨幅收敛,DRAM季增13%-18%、NAND增15%-20%
分类:行业
|
时间:2026-8-12 09:41
|
阅读:3
摘要:
伯恩斯坦8月8日发布的7月月度存储价格追踪报告显示,Q3 DRAM(不含HBM)合约价环比涨幅收敛至13%-18%,NAND Flash涨幅收敛至15%-20%,较Q1/Q2显著放缓,表明存储涨价动能正在见顶。AI服务器用HBM仍供不应求,但消费 ...
伯恩斯坦
8
月
8
日发布的
7
月月度存储价格追踪报告显示,
Q3 DRAM
(不含
HBM
)合约价环比涨幅收敛至
13%-18%
,
NAND Flash
涨幅收敛至
15%-20%
,较
Q1/Q2
显著放缓,表明存储涨价动能正在见顶。
AI
服务器用
HBM
仍供不应求,但消费级存储供需趋于平衡。
邀请
上一篇:
华尔街:AI存储涨价潮或降温,供需紧缺短期延续
相关分类
市场
技术
产品
数据
行业
芯闻排行
每周
每月
1
研调:Q2 全球智能手机出货量年减4%,三星居首
2
存储芯片飙涨冲击国内3大智能手机厂,出货量大减2 成
3
三星发布3款折叠新机,安卓首款阔折叠登场
1
研调:Q2 全球智能手机出货量年减4%,三星
2
存储芯片飙涨冲击国内3大智能手机厂,出货
3
三星发布3款折叠新机,安卓首款阔折叠登场
商业洽谈
文章投递
寻求报道
手机版