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在我国持续突破美国高端极紫外（EUV）设备出口限制的同时，人工智能芯片带动的内存需求大幅增长，为国内存储厂商带来了提升市场份额的发展机遇。据市场消息，在国内政策的大力扶持下，中韩两国在高带宽内存（HBM）领域的技术差距已缩小至约三年，其中长鑫存储的技术进展最为迅速。目前，企业计划通过首次公开募股（IPO）募资，加速产能与业务扩张。 据韩国媒体《首尔经济日报》报道，中国HBM3技术水平已追上三星、SK海力士等韩国头部存储企业，双方当前的技术代差约为三代。 HBM3主要应用于英伟达H100人工智能GPU，而H100也是最早被美国纳入出口管制、禁止对华出口的人工智能芯片之一。业内消息人士透露，现阶段良品率仍是主要制约瓶颈，但从技术能力来看，长鑫存储已具备HBM3量产技术储备。 依托国内政策对产能扩张的大力支持，长鑫存储预计到2026年底，HBM月产能将达到30万片12英寸晶圆。 为抢抓AI内存市场高速增长的行业机遇，长鑫存储已获批推进IPO计划，预计募资规模超40亿美元，用于进一步扩充产能、强化核心技术研发实力。不过行业普遍认为，尽管长鑫存储已掌握HBM3相关技术，但在良品率、规模化量产经验、先进封装产业链生态以及客户认证落地等方面，与三星、SK海力士仍存在显著差距，未来能否顺利切入全球AI GPU核心供应链，仍有待市场验证。 |
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