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美国存储芯片大厂美光（Micron Technology, Inc.）判断，高带宽内存（HBM）、NAND闪存与DRAM内存的缺货现状，或将延续至2026年之后。 科技媒体Wccftech于25日援引摩根大通（业内简称小摩）最新研报内容报道，在波士顿举办的第54届摩根大通全球科技、媒体与通信年会（TMC）上，美光管理层表示，高性能存储芯片可大幅提升AI模型的算力表现，受旺盛的AI算力需求驱动，存储行业整体供给紧张的格局将延续至2026年以后。 美光进一步解释，HBM、NAND闪存、DRAM内存的产能短期内难以快速释放，因此市场供不应求的局面将长期维持。 摩根大通在报告中剖析了本轮存储市场供需紧张的核心原因。一方面，随着存储芯片技术迭代升级，产品性能的提升幅度逐步放缓，且新一代HBM芯片的晶圆尺寸持续增大，生产难度与成本同步提升；另一方面，极紫外（EUV）光刻技术已成为最新一代DRAM芯片制造的核心工艺，先进制程产能稀缺，进一步制约了整体出货能力。 据研报披露，美光管理层坦言，依托AI应用的爆发式需求拉动，公司1γ制程以晶圆总出货量口径计算，将成为美光史上产能规模最大的DRAM制程节点。面向AI显卡的HBM产品，核心原理是通过DRAM芯片垂直堆叠封装而成。美光表示，将持续推进EUV光刻技术与1γ存储生产线的深度融合，夯实先进制程产能优势。 产能方面，受益于AI市场的强劲需求，美光HBM4的产能爬坡速度较上一代HBM3提升两倍。同时，新一代HBM4E内存产品预计2027年启动产能爬坡，其首款样品将采用1γ制程DRAM芯片打造。 美光最后提到，AI大模型上下文窗口持续扩容、推理运算负载不断攀升，带动企业级固态硬盘（SSD）需求激增，也助力公司持续提升在SSD市场的整体份额。 |
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