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美国存储芯片大厂美光（Micron）第六代高带宽内存（HBM4）扩产工作进展顺利，公司计划在2027年正式量产新一代HBM4E标准产品。 5月20日，美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）在摩根大通投资者会议上表示，为英伟达（Nvidia）Vera Rubin AI计算平台量身打造的美光HBM4，产能爬坡速度约为上一代HBM3E产品的两倍，良品率提升速度也大幅加快。 美光将HBM4产能快速提升的原因归结为三点。首先，公司通过HBM3、HBM3E产品的量产积累了成熟的运营经验，形成了技术迭代的学习优势。其次，HBM4核心晶圆采用美光当前主力的10纳米级第五代1β制程，该制程的性能与良品率均已得到市场验证，稳定性表现优异。最后，美光对基底晶圆完成内部优化，通过将1β DRAM与自研基底晶圆结合，最大限度提升了产品的品质与综合性能。 针对下一代HBM4E产品，美光将全面调整生产策略，迎来重大技术与供应链升级。核心晶圆层面，HBM4E将改用10纳米级第六代1γ制程制造，这也是美光首个搭载ASML极紫外（EUV）光刻设备的制程节点，技术水平对标三星、SK海力士的1c制程。供应链层面，HBM4E的基底晶圆将不再由美光自研自产，转而交由晶圆代工企业台积电代工生产。 马尼什·巴蒂亚透露，目前HBM4E研发进度平稳，预计2027年实现量产。首批量产产品将遵循JEDEC行业标准，同时美光正在布局定制化版本产品，可根据客户需求进行专属适配。尽管定制化产品成本相对更高，但凭借性能升级与专属附加功能，美光预判该类产品将拥有旺盛的市场需求。 行业竞争方面，三星电子、SK海力士也依托自身1c制程技术，全力研发HBM4E产品。其中，三星计划2026年第二季度送出首批HBM4E样品，产品基底晶圆将采用三星自研4纳米制程生产。SK海力士则瞄准2026年下半年推出样品，2027年实现量产，业内消息显示其产品基底晶圆同样将采用台积电3纳米制程代工。 产能布局方面，美光预估，2026年中期，采用1γ制程的DRAM内存芯片与第九代NAND闪存芯片，出货比特总量将占公司整体出货量的50%以上。届时，1γ制程DRAM将成为美光晶圆产量占比最高的单一DRAM制程技术。 |
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