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据韩国媒体报道，三星电子已成功制造出全球首款制程低于10纳米的“个位数纳米”DRAM工程样片，这标志着内存产业正式突破了长期以来的物理极限。 韩国媒体《The Elec》报道指出，长期以来，DRAM产业的微缩技术主要依赖10纳米级制程（世代涵盖1x、1y、1z、1a、1b、1c至1d）。如今，三星正全力开发全新的“10a”制程技术。市场分析认为，10a制程将把线宽进一步缩小至9.5至9.7纳米之间，成为业界首个跨入个位数纳米等级的亚10纳米（sub-10nm）制程技术。日前，三星通过10a制程生产晶圆后，在检测样片特性时成功确认了工程样片的诞生，目前正计划通过调整制程条件，快速提升并确保产品良率。 报道称，这项革命性突破的两大核心技术，在于首次应用了“4F平方单元结构（4F Square Cell Structure）”以及“垂直通道晶体管（VCT，Vertical Channel Transistor）”工艺。当前市面上的DRAM产品普遍采用6F结构（即3Fx2F的长方形区块），而全新的4F结构则改为更紧凑的方形设计（2Fx2F）。仅通过这一结构改进，就能将每个集成电路的单元密度大幅提升30%至50%，不仅能提供更大的存储容量，还能有效降低功耗。其中，4F平方单元结构的核心是将每个存储单元置于2F×2F的面积内，相比传统结构实现了更高的存储密度，是DRAM高密度微缩的关键技术支撑；垂直通道晶体管则通过将晶体管通道方向由水平改为垂直，缩短单元间距，为4F平方结构的实现奠定了基础。 此外，新款DRAM在材料应用上也实现了革新，舍弃了以往产品使用的硅，转而采用铟镓锌氧化物（IGZO）等新型材料。铟镓锌氧化物具有极低的漏电流和极高的电子迁移率，由于新世代内存单元更为狭窄，导入IGZO材料能有效减少漏电问题，确保数据的良好保存性，同时还能降低功耗、提升器件可靠性。 根据三星的发展规划，搭载这些新技术的10a DRAM预计将于2026年完成开发，量产时间定于2028年。4F新结构将在10a世代率先应用，并在未来的10b与10c世代中持续优化。而后续的“10d”世代DRAM，预计将全面迈入“3D DRAM”技术领域，计划于2029至2030年间推出。3D DRAM通过堆叠多个DRAM芯片层实现垂直集成，能显著提升存储密度和带宽，同时缩短信号传输路径、降低延迟，适用于高性能计算、数据中心等场景。 在市场竞争格局方面，三星的竞争对手美光（Micron）目前已暂停其4F相关计划，决定直接等待未来的3D DRAM技术。与此同时，缺乏先进光刻设备的中国厂商，在3D DRAM生产方面将面临不小的挑战。不过，由于3D DRAM的设计与3D NAND可能存在相似之处，这为中国厂商提升制程水平保留了一线机会。 |
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