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近期有消息称，中国最大闪存（NAND Flash）制造商长江存储（YMTC）计划大幅扩产，引发市场对闪存供应过剩的担忧。不过行业分析师表示，半导体从建厂扩产到实现量产需要数年时间，且在人工智能应用带动的爆发式需求下，长江存储扩产不仅不会造成全球供需失衡，整个 NAND 闪存产业长期甚至将处于供应严重紧缺状态。 据路透社援引知情人士消息，长江存储除计划 2026 年在武汉投产的第三座工厂外，还规划再新建两座工厂。若三座新厂全面投产，单厂月产能可达 10 万片晶圆，将使长江存储现有每月 20 万片的晶圆产能实现翻倍以上增长。 其中，第三座工厂预计到 2027 年月产能达 5 万片晶圆，且超过 50% 的生产设备来自中国本土。尽管面临美国出口管制，瑞银集团（UBS）预计长江存储的全球市场份额将从 2025 年的 11.8%，在 2027 年初突破 14%；其采用最新 Xtacking 4.0 架构的 294 层 3D TLC 闪存已实现量产，良率突破 90%。 不过，尽管长江存储频频推进产能扩张，行业分析师针对扩产消息提出关键观点，认为市场无需过度恐慌。首先，扩产到量产存在时间差。分析师指出，半导体行业从建厂、设备进场、工艺调试到良率提升，通常需要 2 至 3 年才能正式量产。因此，市场仅凭当前扩产消息就担忧短期内出现供应过剩，在时间判断上完全有误。 其次，人工智能需求呈百倍级无上限爆发。目前 NAND 闪存需求增长已出现结构性转变，不再仅依赖手机、个人电脑等传统消费电子产品，而是转向人工智能推理、数据中心与企业级存储等刚性需求。专家强调，人工智能应用带动的存储需求呈百倍增长，即便两年后新增产能释放，单一厂商的供给增速仍远跟不上需求爆发速度。 第三，新增产能将优先满足中国庞大内需。中国本土市场在手机、个人电脑、安防及人工智能等领域对 NAND 闪存存储需求巨大，长期处于供不应求状态。市场分析师判断，长江存储的新增产能将优先填补国内需求缺口，因此对全球整体市场供需影响相对有限。 最后，全球头部厂商资本支出仍保持理性。目前全球主要 NAND 闪存大厂在资本支出上依旧审慎克制，并未出现全行业盲目扩产情况，整体产业供需结构保持健康。综上，市场分析师认为，长江存储的扩产计划体现的是对未来市场需求的信心，而非短期供需失衡信号。在人工智能推理与数据中心需求持续爆发的大趋势下，NAND 闪存行业未来仍将面临供应严重紧缺局面，市场对供过于求的担忧实属过度。 |
