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据外媒报道，国内内存芯片制造商长鑫存储（CXMT）已启动12层高带宽内存（HBM）大规模量产，这意味着国内厂商与韩国头部企业从产业发展初期便存在的技术差距正在大幅缩小。凭借12层堆叠技术这一关键突破，长鑫存储正式具备了进军高端人工智能（AI）硬件生产领域的实力。 据technetbooks报道，长鑫存储入局高端内存领域仅三年时间，就实现了12层HBM规模化量产的关键突破。业内观察人士表示，尽管SK海力士、三星电子长期占据市场主导地位，但如今中韩企业的制造技术差距已缩短至三年以内。长鑫存储成功攻克垂直堆叠（含精准DRAM层级键合）这一高难度制程，也印证了国内本土半导体产业链已迈入先进发展阶段。 在产能布局方面，长鑫存储选择依托大规模产能提升市场影响力。报道显示，公司将DRAM总产能的20%集中投入HBM生产，这一积极转型策略，让其HBM月产能达到6万片晶圆。虽说当前产品生产良率仍低于韩国竞品厂商，但长鑫存储现阶段核心目标，是全面满足国内人工智能产品的市场需求，同时为后续进军国际市场做好战略铺垫。 为持续保持发展势头、进一步扩大产能规模，长鑫存储正计划通过IPO公开上市，募集42亿美元资金。这笔资金将全部用于新建HBM生产基地、升级现有DRAM制造中心。目前公司正与国内外设备供应商紧密协作，预计2026年完成核心生产基建布局；资金加持也将助力长鑫存储进一步优化键合工艺与散热管理系统。 随着长鑫存储12层HBM产品顺利落地，三星、SK海力士等行业龙头面临的市场竞争压力持续加剧，不得不加快推进更先进制程的研发落地，以此稳固行业领先地位。业内专家预判，本轮内存产业竞争的下一阶段，核心将聚焦16层堆叠与混合键合（hybrid bonding）技术的研发角逐。 |
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