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比HBM 便宜,软银、英特尔携手研发次世代存储器

分类:行业 | 时间:2026-2-4 10:27 | 阅读:8

摘要: 日本软银(Softbank)与美国英特尔(Intel)合作、携手研发AI 用次世代存储器。英特尔表示,能够研发比HBM 更便宜的存储器。软银3日发布新闻稿宣布,旗下全资(100%持股)子公司“SAIMEMORY”已于2日和英特尔签订合 ...
日本软银(Softbank)与美国英特尔(Intel)合作、携手研发AI 用次世代存储器。英特尔表示,能够研发比HBM 更便宜的存储器。

软银3日发布新闻稿宣布,旗下全资(100%持股)子公司“SAIMEMORY”已于2日和英特尔签订合作契约,将推动次世代记忆体技术“ZAM”(Z-Angle Memory)商业化。 “ZAM”是一种具备高容量、高频宽、低功耗特性的次世代记忆体技术。

SAIMEMORY为软银为了推动次世代存储技术的研发、于2024年12月设立的子公司。

SAIMEMORY目标在2027年度内推出原型(prototype)产品、2029年度商业化。藉由“ZAM”技术,双方将致力于在需要大规模AI模型训练、推论的资料中心等领域,实现大容量且高频宽的资料处理,并提升处理性能、降低功耗。

日经新闻报导,SAIMEMORY、英特尔目标是将功耗较现行产品减少一半。 SAIMEMORY社长山口秀哉在3日于东京都内举行的技术相关活动上表示,“将解决散热、性能、供应等问题。就某种意义来看、这是破坏性的挑战”。参与研发的英特尔Joshua Fryman指出,“能够研发比HBM更便宜的存储器”。

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