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近期市场传出中国存储大厂长江存储（YMTC）可能将原定于2027 年开出的新产能，提前至2026 年下半年量产。部分观点推论，此举或许能为紧绷的全球NAND Flash 供给带来缓解，并抑制价格涨势。然而，根据市场分析师深入分析产业供给面的结构性限制与AI 带动的爆发性需求，单一原厂的扩产行动恐怕难以扭转全球NAND 供给紧张与涨价的结构性缺货趋势。 根据分析师的报告指出，首先，全球NAND 产业的产出成长模式已发生根本性改变。过去产业习惯的每年30% 高速位元成长（Bit Growth）已不复见，取而代之的是更为保守的扩张策略。根据目前各大原厂的资本支出规划推估，NAND 原厂的位元成长年复合成长率（CAGR）将降至10–15%，远低于过往水准。预估2026 年全球NAND 原厂总产出将落在1,100 至1,200 EB 之间。 造成此现象的主因在于资本支出的排挤效应与技术策略的转向： 资源转向高毛利产品：包括三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）与美光（Micron）在内的半导体巨头，近年将资本支出重心转向高频宽存储器（HBM）、先进DRAM 以及制程优化，而非大规模兴建新的NAND 晶圆厂。 技术迭代取代产能扩充：多数原厂选择透过“提升单位晶圆密度”（如增加堆迭层数）来达成位元成长，而非单纯扩大晶圆投片量，这使得整体供给增长趋于保守。 产能排挤效应：在AI 世代下，原厂更倾向将有限的产能配置给高毛利的企业级伺服器与AI 相关应用。目前多家供应商已公开表示，2026 全年产能已被预定或售罄，缺货状况预计至少持续至2027 年。 报告还表示，针对长江存储可能提前量产的消息，其对全球有效供给的实际贡献仍充满不确定性。虽然名为扩产，但长江存储此次扩厂的主要目标是供给3D DRAM，而非单纯的NAND Flash。此外，受到3D NAND 结构与先进制程设备的限制，新厂投产初期的制程复杂度极高，良率爬升（Yield Ramp-up）通常需要数个季度甚至更长时间。 更关键的是地缘政治与政策因素。长江存储可能在中国政策要求下，优先支持中国特定产业与应用。这意味着即便2026 年下半年新产能启动，其对中国以外的全球市场支持力度将相对有限。换言之，真正能对全球供给产生实质影响的时间点可能已接近2027 年，且数量难以撼动整体供需结构。 此外，与供给端的保守形成强烈对比的，是AI 技术对NAND 需求的结构性放大。 AI 对储存空间的需求已不仅止于训练阶段，更来自于规模化的“AI 推论”（Inference）。以单一伺服器平台为例，若Vera Rubin 伺服器搭载32TB SSD，假设出货量为1,000 万片，仅此单一平台的NAND 需求就高达320 EB，约占全球NAND 总产出的30%。这项惊人的数据尚未纳入其他AI 训练平台、大型资料中心扩建，以及企业私有AI 部署的潜在需求。 报告进一步指出，大型云端服务供应商（CSP）正投入数千亿美元建置AI 基础设施，其商业模式仰赖推动大量用户使用AI 推论，并分析由此产生的庞大数据。在此模式下，储存容量已成为CSP 营收与获利的核心基础设施。 根据某NAND 原厂估计，目前CSP 对NAND 的总需求量对照全球总供给量，已出现接近15-20% 的供给缺口。这并非传统的景气循环波动，而是严重的结构性需求所造成的供给短缺。随着AI 推论让需求“没有上限”，能建构多少NAND 储存能力，将直接决定CSP 的AI 服务规模与变现能力。 综合供需两端分析，2026 年NAND 供给年增率仅10-15%，且原厂倾向扩大生产更高毛利的HBM 与DRAM，进一步排挤NAND 产能。面对AI 带动的爆发性需求成长，单一供应商如长江存储的扩产消息，受限于良率、产品种类（3D DRAM）及地缘策略，难以实质扭转全球NAND 供给紧张与涨价的结构性趋势。市场应对未来几年的结构性缺货做好长期准备。 |
