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在全球人工智能（AI） 竞赛如火如荼展开、对高效能运算需求爆炸性增长的当下，掌握全球NAND Flash（快闪存储器） 市场超过60% 市占率的韩国两大企业-三星电子（Samsung Electronics） 与SK 海力士（SK Hynix），却传出将在2026 年进一步缩减产量的消息。这一决策恐将导致伺服器、个人电脑（PC） 及行动装置等全领域面临供应吃紧的局面，但也预告着存储大厂的获利结构将迎接显著改善。 根据朝鲜日报的报导，韩系大厂在2026 年的生产策略采取了极为保守的基调。其中，三星电子已将2026 年的NAND Flash 晶圆预计产量下调至468 万片，较2025 年的490 万片进一步缩减。这代表着，继先前因应收益锐减而实施减产后，三星2026 年的减产力道不仅没有放缓，反而比2025 年更加猛烈。同样地，SK 海力士也采取了类似的步调，其NAND Flash 产量预计将从2025 年的190 万片，降至170 万片。 考量到2026 年AI 相关需求正在集中爆发，这两大主要供应商的供给调节，极有可能加剧从AI 伺服器到消费性电子产品的全方位供应短缺。而尽管供给端收缩，但需求端却呈现指数级增长。花旗证券（Citi Securities） 的分析报告揭示了惊人的需求前景，尤其英伟达（Nvidia） 预计于2026 年下半年量产的次世代AI 晶片Vera Rubin，其所需的固态硬盘（SSD） 容量高达1152TB。这一规格是现有产品Blackwell芯片的10 倍以上，显示出AI 推论运算对储存空间的渴望。 根据预测，Vera Rubin 在2026 年的出货量约为3 万台，2027 年将增至10 万台。这代表着，仅此单一产品线，在2026 年就将创造3,460 万TB 的新增需求，而到了2027 年的数字更将暴增至1 亿1,520 万TB。面对如此庞大的潜在需求，韩系大厂的减产决策显得格外引人注目，也更具市场影响力。 市场分析施指出，三星与SK 海力士之所以在需求看涨时选择减产，主要基于三大核心考量：设备投资优先状况、技术转型的自然损耗，以及对抗中国低价竞争的市场区隔策略。 首先，从获利指标来看，DRAM 目前的获利远高于NAND Flash。因此，业界普遍认为，大厂在设备投资的优先顺序上，自然更倾向于获利能力更强的DRAM，导致NAND Flash 的产能扩充受到排挤。 其次，是技术转型带来的自然减产。随着AI 资料中心对大容量SSD 的需求激增，记忆体原厂正积极将生产线从原本的TLC 架构，转换为更适合大容量储存的QLC 架构。在这一产线转换过程中，设备的重新设定、稳定化所需的过渡期，以及初期良率的爬坡，都不可避免地导致了产量的自然损失。 第三，为了应对中国厂商的崛起。中国记忆体厂商长江存储（YMTC） 自2025年起在NAND Flash 市场崭露头角，产量持续攀升，并以低价攻势抢占市场。分析认为，韩系大厂的减产策略带有明显的针对性，也就是透过减少在行动装置与PC 等通用型NAND Flash 等领域的供应量，来防御中国业者的低价竞争。同时将资源集中，增加伺服器与企业用高阶产品的比重，以优化产品组合并守住获利底线。 报导表示(韩系大厂的惜售策略已立即反映在市场价格预测上，主要市场研究机构正密切关注这波由供给侧主导的价格涨势。市调机构TrendForce 预测，2026年第一季NAND Flash 的合约价格将较上一季大幅上涨33% 至38%，并特别点出三星与SK 海力士保守的生产基调是主要推手。IDC 的数据也佐证了这一趋势，预估2026 年的NAND Flash 供给成长率仅为17%，低于近年来的平均水准。 对于三星电子与SK 海力士的高层而言，目前并无理由冒险增产。 NAND Flash 业务在经历了长时间的获利恶化后，目前正处于需要全力护盘价格的阶段。利用此次记忆体市场的超级循环，将利益最大化是其首要目标。 报导特别引用一位半导体业界人士分析指出，无论三星与SK 海力士的NAND Flash 减产是主动的策略调整，还是产线转换下的被动结果，2026 年都将是他们透过减产获取最大利益的一年。这代表，在AI 热潮的推波助澜下，记忆体大厂正透过精准的供给控制，准备迎接获利能力的显著修复，其对营业利益率的贡献恐将不亚于DRAM。 |
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