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在全球AI 伺服器需求爆发的带动下，韩国三星电子获利能力出现爆发式成长，营业利益较前一年大增208%，其主因在于记忆体价格快速上涨，带动了营收的成长。 彭博社报导，根据三星电子公布的初步资料显示，2025 年第四季营业利益达到20 兆韩元，明显优于市场预期的17.8 兆韩元，营收金额则是较前一年成长23%，金额来到93 兆韩元。整体完整财报将于本月底前正式发布，届时将揭露净利及各项业务的个别表现。 2025 年，三星股价已实现翻倍，并在近期继续上涨。随着美光提供积极业绩展望，市场对三星单季业绩爆表的预期明显提升，过去一周内已有十多名分析师上调目标价。这是因为为了满足英伟达等AI 晶片大厂和大型资料中心的需求，三星等记忆体厂商正将资源投向更高获利的HBM 相关产品，减少对标准型DRAM 的供应。这一变化导致NB 和伺服器使用的标准型DRAM 出现市场供不应求的情况，使得DRAM 和NAND 两项产品的价格双双走高。 里昂证券(CLSA) 韩国研究主管Sanjeev Rana 表示，超大规模资料中心运营商和云端运算服务商正在大量采购DRAM，而且愿意支付更高的价钱。因此，Sanjeev Rana 认为，强劲价格走势有望贯穿整个2026 年，甚至延续到2027 年上半年。即便在2027 年上半年之后，价格也可能不会明显回落，因为需求过于旺盛，供应依然吃紧。 在CES 2026 期间，三星高层也公开提及记忆体供应紧张的问题。三星电子表示，消费电子价格已经开始上调，半导体供应方面将面临挑战。而根据市调机构Counterpoint Research 预测，本季DDR5 价格将环比上涨40%，第二季还将进一步成长20%。 在HBM 市场领域，三星此前落后于SK 海力士和美光科技。 2025 年，三星已向英伟达送交HBM4 样品进行认证测试，市场因此预期，三星有望在2026 年上半年量产，进一步缩小与竞争对手的差距，并配合英伟达新一代Rubin 处理器。根据里昂证券的预计，随着HBM4 进入商用阶段，三星电子2026 年的HBM 出货量将达到目前的三倍。 |
