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今年第四季度，一场始于上半年的内存芯片涨价潮，正突破 “阶段性波动” 的初始预判，在 AI 算力需求爆发的推动下愈演愈烈，以 “超预期” 态势重塑全球存储产业生态。中国《财联社》援引某存储模组厂资深员工的感叹：“深耕行业多年，从未见过如此长周期的涨价行情”，而当前市场呈现的 “量价齐升”，更是存储领域罕见的现象。 从具体数据来看，内存价格涨幅已进入 “加速通道”。据 CFM 快闪存储器市场数据，DDR4 16Gb 3200 现货报价上周飙升至 13 美元，较前一周暴涨 30%；512Gb Flash Wafer 价格自 10 月以来累计涨幅超 20%。更关键的是，市场供需紧张已传导至报价环节 —— 部分原厂对 DRAM 和 Flash 产品暂停报价，即便给出报价也呈现 “一天一价” 的特点，价格有效期限极短，市场不确定性显著增加。TrendForce 集邦咨询分析师许家源进一步预判，今年第四季度 DRAM 整体价格（含 HBM）将季增 13%-18%，涨价压力已从上游原厂逐步蔓延至终端消费市场。 终端市场的反应已十分直观。小米创办人雷军 10 月 24 日在个人微博直言 “内存涨价实在太多”，而 10 月 23 日发售的 Redmi K90 系列部分版本，售价较上一代上调 100-400 元（人民币），小米总裁卢伟冰坦言，内存成本压力远超预期且将持续影响。以金士顿 DDR4 台式电脑内存条为例，其价格自今年 3 月起急速攀升，目前售价已超过去年同期两倍，终端消费成本上涨态势明确。 此轮涨价的核心特殊性，在于驱动力从 “传统周期性波动” 转向 “AI 算力需求的颠覆性重构”。在 AI 大模型训练与推理对 GPU、伺服器等基础设施的海量需求下，内存芯片进入 “计划性牺牲” 阶段 —— 为保障高利润的 HBM（高带宽内存）及 DDR5 产能，原厂大幅削减 DDR4、LPDDR4X 等旧制程产品供应。许家源解释：“HBM 消耗的晶圆容量是标准 DRAM 的三倍以上，在总产能有限的情况下，原厂不得不优先保供高价值产品”，这直接导致 DDR4 等传统产品陷入紧缺，涨价潮从 HBM 向全存储市场扩散。 行业数据进一步印证 AI 对存储产业的重塑力：摩根士丹利预测，今年全球科技巨头在 AI 基础设施上的投入将达 4000 亿美元；Yole Group 更指出，今年 HBM 营收恐成长近一倍至 340 亿美元，2030 年前年复合成长率（CAGR）将维持 33%，最终有望超越 DRAM 市场半壁江山。 面对这场 “结构性景气新时代”，中国记忆体产业链正通过差异化策略积极应对，模组厂成为短期应对涨价的关键环节。江波龙证券部人士表示，公司因提前备货，上游涨价反而对毛利率产生正向贡献；集邦许家源也提到，自 8 月以来，模组厂普遍加大颗粒及晶圆库存储备，同时同步调涨模组价格。不过策略分化已显现：朗科科技选择 “清库存” 模式，库存量低于同行，业绩波动性相对较小。 芯片设计公司与经销商则依赖价格传导缓解压力：普冉股份正与下游客户协商涨价，以应对四季度供给紧张；香农芯创虽毛利保持稳定，但采购成本上升已通过销售成长部分对冲。值得关注的是，国际原厂涨价还推动部分需求转向国内晶圆厂，为本土厂商创造了市场机会。 更长远来看，在国产替代与 AI 浪潮的双重驱动下，中国企业正加速向高附加价值领域突围，瞄准 HBM、先进封装等前沿赛道。赛腾股份的 HBM 检测设备已获海外大客户批量认可；中微公司在先进封装领域全面布局，涵盖 HBM 相关刻蚀、CVD 等设备；佰维存储的晶圆级先进封测项目即将投产，目标是提供 “存储 + 封测” 一站式方案，从技术端抢占产业高地。 对于未来产业趋势，集邦许家源预测，尽管 2026 年 HBM3E 恐因产能释放出现供过于求，但技术门槛更高的 HBM4 仍将维持供不应求的状态。这场由 AI 掀起的存储革命，不仅改写了产业供需规则，更成为中国存储产业链升级的重要窗口 —— 从短期囤货应对涨价，到长期押注 HBM、先进封装等核心领域，中国记忆体晶片产业正试图在结构性变革中，抢占全球价值链的新高地。 |
