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传长鑫存储拟出货HBM3 样品,助华为突破AI 记忆体瓶颈

分类:市场 | 时间:2025-10-28 10:20 | 阅读:9

摘要: 市场消息传出,存储大厂长鑫存储(CXMT)已取得重大突破,并向AI巨头如华为等出货HBM3样品,以缓解HBM危机。据悉,长鑫存储计划 2027年将HBM3E带入中国,并预期今年启动量产,以把握目前的DRAM需求。事实上,北京长 ...
市场消息传出,存储大厂长鑫存储(CXMT)已取得重大突破,并向AI巨头如华为等出货HBM3样品,以缓解HBM危机。

据悉,长鑫存储计划 2027年将HBM3E带入中国,并预期今年启动量产,以把握目前的DRAM需求。事实上,北京长期面临HBM供应瓶颈,并依赖出口管制前的HBM库存,这也成为华为等公司扩大AI芯片产能的障碍。直到近期,中国企业才逐步具备足够的技术和生产能力。

有分析师指出,虽然长鑫存储技术仍落后全球顶尖企业三到四年,但其进展标志中国在半导体自主化上的重要步伐,也可能打破国际DRAM大厂长期的主导地位。

尽管技术落后,长鑫存储在整体DRAM产量中仍占关键地位,因为公司拥有足够的生产线。该公司今年DRAM产能持续提升,预计中国厂每月产能将达23~28万片晶圆。

目前长鑫存储仍落后SK海力士等企业,并计画2027年将HBM3E带入中国,届时HBM4预计将成为主流标准。同时,该公司也在消费者存储领域取得领先地位,公司已开始量产DDR5模组,据称良率约为80%。

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