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根据朝鲜日报报导，三星电子内部正讨论解散负责1c DRAM 良率优化的专案小组（TF），将人力与资源全面转向HBM4 量产准备，力拼在年底前打入NVIDIA 供应链，重夺高端记忆体市场的主导权。 三星此次采用更先进的1c DRAM 做为HBM4 的核心芯片（Core Die），理论上可实现更高频宽与能源效率。不过外界报导指出，其在“冷测”（Cold Test）阶段的良率仅约35% 至50%，仍低于量产标准。由于1c 制程线宽进一步缩小，制程控制误差的容忍度低于1b 世代，微影与蚀刻难度大幅提升。 相较之下，根据先前韩媒报导，SK 海力士完成HBM4 量产准备，采用成熟的1b 制程与MR-MUF 封装方案，良率据估超过70%，已达量产获利门槛。 TF 团队成立于副会长全永铉上任后，集合记忆体事业部的核心工程师，原本专注于1c 制程的稳定性与良率提升。但在新时程压力下，三星似乎决定跳过内部量产批准（PRA）程序，直接投入HBM4 量产体系的建构。 业界分析指出，即使良率未达理想，三星也要凭借世代差与性能优势突围。熟悉内情人士透露，三星内部宁可牺牲短期效率，也要在HBM4 成为新标准前抢回技术主导权。 根据Counterpoint Research 统计，今年第二季全球HBM 市占率为SK 海力士62%、美光21%、三星仅17%。这是三星首次落居第三。分析认为，若无法在短期内稳定HBM4 量产良率，市占差距恐进一步扩大。 随着AI 训练需求推升HBM 需求量倍增，业界普遍预期HBM4 将成为2025 之后最具关键的记忆体战场。能否率先掌握量产节奏，将决定全球记忆体格局的重新洗牌。 |
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