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根据路透社引用三位知情人士的说法报导指出，中国NAND Flash 制造商长江存储（YMTC）正计划将业务扩展至制造动DRAM 芯片，其中涵盖了用于制造AI 专用记忆体HBM 的产品。长江存储的计划凸显了在美国扩大出口管制后，中国迫切希望提升其先进芯片制造能力的意图。 报导指出，2024 年12 月，美国扩大了出口管制措施，目的是限制中国取得HBM。市场人士与分析师指出，此限制措施使HBM 的供应问题成为中国庞大AI 芯片产业中一个日益紧迫的事项。因为，包括华为和字节跳动在内的中国科技大厂，正在积极开发自己的AI 芯片，这使得HBM 的国产化需求更为迫切。 而为了应对这一需求，长江存储正在开发使用硅穿孔（through-silicon via，TSV） 技术的先进芯片封装技术。两位知情人士透露，TSV 技术是用来堆迭DRAM，然后生产HBM 的核心技术。目前在全球市场中，HBM 芯片主要由美国的美光（Micron）、韩国的SK 海力士（SK Hynix）和三星电子（Samsung Electronics） 来进行供应。这些HBM 被用于英伟达（Nvidia）和超微（AMD）等公司的AI 芯片当中。在中国国内市场上，长江存储的主要竞争对手长鑫存储（CXMT）已在开发HBM 芯片。 报导指出，长江存储正考虑将其在武汉建设的一座新晶圆厂的部分产能，分配给未来的DRAM 生产。根据企业注册资讯服务商资料显示，长江存储已于本月稍早成立了一家新公司，以推动其在武汉的第三座晶圆厂的建设。该新公司的注册资本基础达到了惊人的207 亿人民币（约合29 亿美元）。然而，当前尚未能确认该新晶圆厂计划的月产能，也无法确定有多少产能将被分配给DRAM 的生产，长江存储方面也未进一步提出说明。 事实上，长江存储由同名的国资背景控股企业所拥有。该公司在中国推动NAND Flash 自给自足的努力中扮演着至关重要的角色。过去，中国在这一领域主要依赖从韩国、日本和美国进口，有了长江存储之后，中国开始能够部分自行供货。然而，长江存储已于2022 年被美国列入限制出口的实体清单当中。 目前，长江存储在武汉现有的两座晶圆厂，其都一直专注于NAND Flash 的生产。根据摩根士丹利的研究报告显示，截至2024 年底，这些工厂每月能够生产16 万片12 寸晶圆，预计2025 年产能将再进一步增加6.5 万片晶圆的生产。 |
