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日本NAND 快闪存储器（Flash Memory）大厂铠侠（Kioxia）宣布，将在今年度内量产被称为“第9 代”的次世代存储器，并已开始进行样品出货。 铠侠上周五（25日）宣布，采用第9代BiCS FLASH 3D快闪存储器技术的512Gb TLC产品已在当日开始进行样品出货，预估将在今年度内（2026年3月底之前）进行量产。 铠侠表示，上述产品活用以第5代BiCS FLASH技术为基础的120层堆迭制程技术和最新的CMOS技术，和该公司现行产品（2022年开始生产的第6代BiCS FLASH产品）相比，写入性能提高61%、读取性能提高12%，且功耗改善约3成（写入时改善36%、读取时改善27%）。 日媒报导，上述次世代存储体产品利用铠侠四日市工厂生产，预估将应用于智能手机等用途。 日经新闻报导，铠侠6月5日公布中长期营运计划，目标在截至2029年度为止的5年内、将产能提高至2024年度的2倍。铠侠将在日本2座主要工厂（四日市工厂、北上工厂）扩增产线、增产AI资料中心用NAND Flash。 铠侠北上工厂“第2厂房（K2）”将在9月投产、生产最先进的第8代NAND Flash“BiCS8”，而铠侠将提高“BiCS8”生产比重，目标在2026年3月将其营收规模超越现行产品。 |
