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根据韩国中央日报报导，韩国三星正加速其位于京畿道平泽的晶圆厂建设，此计划代表着其在经历数月新厂建设停滞后，三星准备在高频宽频存储器（HBM）市场中，重新夺回被SK 海力士（SK hynix）和美光（Micron）抢占的市场占比。 报导指出，过去数月，三星电子已陆续获得平泽市政府颁发的关键核准，尤其针对其P4 厂房，2025 年已取得多个临时使用许可，最近一次是在6 月初获准。这些许可让三星得以在全面竣工前，对部分场地进行有限度使用，包括安装设备、进行测试营运或允许受限的工作人员进入。 自2024 年初以来，受芯片需求疲软和内部资本配置考量影响，P4 以及邻近的P5 厂房的建设曾一度暂停。然而，近期P4 厂区的活动显示，三星正积极扩大生产规模，这与其透过下一代HBM4 产品重夺记忆体市场领导地位的目标高度一致。而且，为了支持HBM4 的生产，并提升目前约40% 的良率，三星正加码投资，以扩张平泽二期与四期以及华城的17 号线的产能。尽管三星电子发言人拒绝对此计划发表评论，但市场普遍认为这是其争夺HBM4 市场龙头的关键步骤。 另外，三星电子将其赌注押在先进的10 纳米级1c 制程上，该制程有望应用于即将问世的HBM4 产品。这与SK 海力士和美光科技计划使用的前一代1b 制程节点形成对比，尽管采用1c 制程并不必然会带来卓越的性能，但三星仍强调这是他们产品的竞争优势之一。 而在4 月份的财报会议上，三星电子透露，他们正准备在2025 年下半年启动HBM4 的量产。为了如期进行，该公司目标在第三季前完成产品的内部核准并稳定其良率。这项时间表极具挑战性，因为分析师指出，尽管1c 制程的良率已有所改善，但这项技术仍处于发展阶段。 报导指出，根据大摩最新发布的一份报告中指出，三星可能在9 月之前获得英伟达（Nvidia）Rubin GPU 的HBM4 样品核准，这被视为一个关键的催化剂。该报告强调，一旦获得此类核准，不仅将因庞大的新潜在市场机会而引发三星股票的反弹，还将重塑当前HBM 市场的竞争格局。这意味着，英伟达的认证对于三星在HBM 市场的地位至关重要，它不仅关乎技术实力，更直接影响市场占比和投资者信心。 然而，三星面临的挑战仍不容小觑。市场分析师警告，英伟达的认证流程将比三星内部基准更为严苛的性能标准，尤其是在速度和功耗方面。目前，三星的12 层堆叠HBM3E 产品尚未获得英伟达的认证，但竞争对手SK 海力士和美光均已跨过这一里程碑。事实上，SK 海力士已向英伟达出货了早期的HBM4 样品，这进一步凸显了三星在HBM4 竞赛中所面临的巨大压力。 此外，三星在扩大生产规模方面也面临着技术瓶颈和复杂的芯片架构。 HBM4频宽的升级需要更密集的导通孔（via holes）和更复杂的硅穿孔（through-silicon via，TSV）结构，这使得制造过程显著更困难。这些技术挑战不仅考验着三星的工程能力，也对其生产良率和成本控制构成严峻考验。 报导强调，尽管面临重重挑战，存储市场的整体情绪依然乐观，这受惠于人工智能（AI）领域的持续强劲需求。市场分析师表示，全球HBM 市场将在2025 年达到133.4%的年成长，金额达430 亿美元，并预计随着2028 年英伟达搭载1TB 的Rubin Ultra 全面部署，市场规模将飙升至1,350 亿美元。这显示HBM 做为AI 应用关键零组件的战略地位非常关键。 因此，尽管三星在英伟达的HBM3E 认证上仍持续努力中，但其产品已获得其他主要客户的青睐。例如，美国超微（AMD）于6 月12 日推出了MI350 AI GPU，其中就配备了由三星和美光供应的288GB 12 层堆叠HBM3E。值得注意的是，这正是三星仍在寻求英伟达认证的同款HBM3E 产品。未来是不是也能一样获得英伟达认证通过，则还有待后续的观察。 |
