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三星电子已确定三年内量产次世代存储器“垂直通道电晶体（VCT）DRAM”蓝图。外界解读，三星有意比SK 海力士早一世代量产，以挽回“超级差距”。 业界27 日传三星半导体（DS）团队确定蓝图，并展开量产作业。 VCT DRAM 是指将存储单元控制电流流动的电晶体垂直排列的产品。与传统平面方式相比，可以排列更多晶体管，实现更高容量，因此被视为潜力巨大的“游戏规则改变者”，然比传统制程更繁复严苛，不仅前段制程（晶圆制作）难度高，还需动用DRAM 制程未用过先进封装，门槛相当高。 三星正量产10 纳米级第五代DRAM，并以今年量产第六代产品为目标。明年开发第七代产品时程已确定，三星第八代（1e）DRAM 与全新制程VCT DRAM 间权衡，最终选择后者。 SK 海力士为先第七代DRAM，再来是1 奈米级第一代（0a）、垂直DRAM（VG）导入。如果三星计画顺利，会领先开启“V-DRAM 时代”。传三星已将负责第八代产品的前期团队与第七代团队合并。 业界预期，VCT DRAM 有望两三年内看到产品。三星近期单一DRAM 领域也开始落后，可看出希望以领先技术重拾领导者的自尊心。 三星只回应“尚未确定DRAM 产品蓝图”。 |
