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韩国媒体hankooki 报导指出，存储大厂SK 海力士在第六代10 纳米等级1c 制程技术的DRAM 制成，近期达到良率约为80% 的结果，较2024 年下半年的60% 有明显提升情况下，预计将如期进入量产阶段。 报导指出，一般而言DRAM 存储器制程技术在良率达到80%~90% 时就可进入正式大量生产的阶段，可以说SK 海力士的第六代10 纳米等级1c 制程技术即将达到大规模生产所需的水准。 事实上，SK 海力士是在2024 年8 月宣布，成功开发出全球首款第六代10 纳米等级1c 制程技术的DDR5 DRAM 产品。该制成节点是1b 制程技术平台的延伸，具备更高生产效率，并在执行速度、效能方面有了显著的改进。除DDR5 之外，SK 海力士旗下的包括LPDDR6、GDDR7 等产品预计也将采用该制程技术。 不过， SK 海力士的第六代10 纳米等级1c 制程技术尚需更长时间方能在需求热络的HBM 领域取得应用。有市场消息表示，SK 海力士在2025 年内量产的HBM4 产品，原则上仍将采用技术较为成熟的第五代10 纳米等级1b 制程技术DRAM。 |
