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韩媒TheElec 报导，三星已成功大幅减少3D NAND 快闪存储器生产过程中曝光制程所使用的光阻剂（PR）。 消息人士指出，三星已经为未来NAND 设定生产路线图，只使用比以前少一半的PR。过去每个涂层使用的PR 为7~8cc，现在已减至4~4.5cc。 为了减少制程中PR 使用量，三星控制涂布机的旋转（rpm）次数，也调整PR 涂布后的蚀刻条件，减少 PR 使用量后也有助于节省成本。 三星为了增加层数，曾在3D NAND 生产中使用厚氪氟化物（KrF）PR。当NAND 堆迭层数达到一百层，成本将提高，使用厚的PR 可一次形成多层，从而提高三星的制程效率。然而，厚PR 的黏度很高，涂布时会造成均匀性问题。 为了开发没有均匀性问题的厚PR，三星早在2013 年以前就与韩国化学材料厂Dongjin Semichem（东进世美肯）合作，后者也成为三星KrF PR 的独家供应商。 当涂布在第七代NAND 上时，PR 厚度为11 微米；第八代厚度为14 微米（越厚越好）。知情人士透露，但从第九代3D NAND 开始，由于旋转转速和蚀刻条件的调整，三星将使用比以前少一半的PR，预期可节省数百亿韩元。 然而，这也代表三星向Dongjin Semichem 的PR 订购量将会减少。 Dongjin Semichem 每年从PR 赚取2,500 亿韩元营收，其中60% 来自供货给三星。也因此，Dongjin Semichem 董事长Lee Boo-Sup 最近要求其原物料供应商也采取成本节约措施。 |
