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市场消息指出，由于IT 业需求不如预期，3D NAND 存储价格下跌，主要flash memory制造商考虑调整产量，减少非挥发性存储器的投资；另由于人工智能产业对HBM 存储需求创新高，他们可能增加DRAM 生产投资。 目前所有3D NAND 主要制造商铠侠（Kioxia）、美光、三星和SK 海力士都考虑降低非挥发性存储器产量，减少投资增建快闪存储器容量。若是如此，可稳定3D NAND 定价，这短期和中期在一定程度上降低DRAM 定价。 由于AI 需求强劲，三星和SK 海力士等公司将焦点放在DRAM，考虑转换部分NAND 生产线的可能，并专注HBM。其中，三星可能转换P4 生产线，SK 海力士计划转换其清州M14、M15X 和M16 设施。 PC 需求在2022 年下半年和2023 年上半年下滑，PC 制造商和固态硬碟供应商的快闪存储器库存过多，因而停止购买。在3D NAND 存储器降低产能后，去年产能利用率降至20%~ 30%，不过随着PC 需求成长，非挥发性存储器需求增加，3D NAND 制造商产能利用率今年初回升至80%~ 90%。 目前需求持续低迷，尤其是标准3D NAND 产品，各家公司必须逐步调整产量。高容量NAND 装置属于例外，因为AI 和其他资料中心需要高容量SSD，这些装置仍有持续的需求。 IT 业者原预期换机潮带动下，2024 年下半年PC 和移动设备的销量提升，但受经济不景气影响，销售反弹预期延后到2025 年下半年，因此制造商重新评估生产策略，延长库存管理并考虑积极减产。 |
