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根据韩国媒体TheElec 报导，与三星的3 纳米制程相较，2025 年即将量产三星2 纳米制程技术将会多出30% 的极紫外光（EUV）曝光层。 报导指出，三星于2018 年首次开始在其7 纳米节点制程上开始使用EUV 曝光技术，从那时起，随着转移到5 纳米，再到3 纳米节点，三星在芯片生产过程中的EUV 曝光层的数量或EUV 技术的步骤数量也在持续成长。 报导引用消息人士的说法表示，三星的2 纳米节点制程已经增加到了20 层的EUV 曝光层。而三星的1.4 纳米节点制程则预计将有30 多个EUV 曝光层。在此同时，三星也将EUV 曝光设备应用于其DRAM 生产上。其中，三星为其第6 代10 纳米级的DRAM 应用了多达7 个EUV 曝光层，而SK 海力士则应用了5 个EUV 曝光层。随着越来越多的芯片制造商扩大其EUV 技术步骤，光阻剂、空白光罩等相关产业也有望成长。 根据三星之前公布的制程技术发展路线图显示，预计2 纳米制程的SF2 在2025 年推出，较第二代3GAP 的3 纳米节点制程，相同运计算时脉和复杂度情况下，可降低25 % 功耗。或是相同功耗和复杂度情况下，可提高12% 计算性能，减少5% 芯片面积。 另外，接下来的2 纳米SF2Z 制程采用了优化的背面供电网路(BSPDN) 技术，该技术将电源供应路线设置于晶圆背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代2纳米节点技术的SF2 相较，将BSPDN 技术应用于SF2Z 不仅可以提高功率、性能和降低芯片(PPA)，还可以显著降低电压(IR 降)，进而提高HPC 晶片设计的性能。 SF2Z 预计将在2027 年开始进行量产。 三星还公布了其他2 纳米制程技术的发表日期，包括用于行动领域的SF2 和SF2P 将分别于2025 年和2026 年推出。至于，针对人工智能和高性能运算的2纳米节点制程则将于2026 年推出，较早于BSPDN 技术。甚至，三星还将于2027 年推出用于汽车电子领域的SF2A 制程技术。 |
