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人工智能 (AI) 需求推动，加上过去两年资本支出不足，存储市场正迎来前所未有的“超级周期”。 供需失衡 客户宁可高价求货 摩根士丹利在新一期报告中指出，存储市场将出现“前所未有”的供需失衡，价格也水涨船高。 “AI 快速发展将导致 DRAM 和 HBM 的供需失衡，预计 2025 年 HBM 的供应不足率为 - 11%，整个 DRAM 市场的供应不足率为 - 23%。特别是 HBM 的需求量将大幅增加，可能占总 DRAM 供应的 30%。 由于 DRAM 供应不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为存储市场超级周期提供了动力。 存储的价格也将水涨船高，预计储存产品的价格将在 2024 年每季以两位数速度上涨，2025 年 HBM 的价格将更高，服务器 DRAM 和超高密度 QLC 固态硬盘将引领价格上涨。 ” 进一步来看，在存储市场中具有策略地位的公司 SK 海力士和三星市占将进一步提升： “将存储产业 2024-25 年的每股盈余预测提高了 24-82%，较最新的预期共识高出 51-54%；其中，SK 海力士将独占鳌头，我们认为市场共识低估其市场成长潜力。我们预期，其 2025 年将在 HBM 市场拥有最高市佔，利润率也将大幅提高。 ” 值得一提的是，客户的行为已经发生了变化，他们现在更加重视确保能够获得足够的存储供应，而不是只专注于价格。由于供应的不确定性，客户愿意为确保供应支付更高的价格 与过往周期不同──资本投资缺乏 摩根士丹利指出，从历史来看，存储市场周期性明显，周期整体路径相似。一般是资本投资周期较长，扩展产能需要 2-3 个季度，新工厂建设需要 2-3 年。 但这个周期有所不同，摩根士丹利指出：目前周期中产业的资本支出远低于维持产能所需的水准，自 2022 年第三季以来产能一直在下降。 这种投资的缺乏正发生在存储供应链迅速转移到 HBM 的之际，HBM 每比特所需的晶圆容量是普通 DRAM 的两倍，其生产良率也较低。 摩根士丹利预计，到 2025 年，HBM 市佔率将成长，整体市场供应不足将更明显。 确保供应为优先 大摩调升存储器 Q3 定价预期 价格方面，SK 海力士和三星电子都在积极扩展 HBM 和 DRAM 的生产能力，预计 2024 年第二季 DRAM 合约价格将季增 13-18%，第三季可能上涨 10-15%。摩根士丹利将 DRAM 和 NAND 的第三季定价展望分别自 8% 和 10% 上调至 13% 和 20%。 客户行为发生了变化，确保供应越来越多地优先于定价，PC ODM/ OEM 将继续确保存储供应，同时为某些大型 PC oem 保持接近 20 周的库存。 产业龙头公司市占将获推升 AI 驱动的存储器“超级周期”将为产业策略地位的公司，如 SK 海力士和三星电子带来市占成长。 摩根士丹利将 SK 海力士目标价提高 11% 至 30 万韩元，较目前约有 30% 的上涨空间，其预计海力士 2024 年和 2025 年的每股收益将比市场预期高出 59%，海力士 2024 年第三季财测将会更高。 摩根士丹利将三星电子目标价提高至 10.5 万韩元，较目前约有 36% 上涨空间，并指出三星电子能否在 2025 年通过验证并取得英伟达资格，这点将至关重要。 |
