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SK海力士美国厂2028年投产,CEO称需数百名工程师

分类:行业 | 时间:2024-4-15 09:40 | 阅读:201

摘要: 南韩存储芯片大厂SK海力士(SK hynix Inc.)4月3日宣布将斥资38.7亿美元在美国印第安那州West Lafayette兴建次世代高频宽存储器(HBM)先进封装制造和研发设施。这项美国首见的计划预计将驱动人工智能(AI)供应链的创新 ...
南韩存储芯片大厂SK海力士(SK hynix Inc.)4月3日宣布将斥资38.7亿美元在美国印第安那州West Lafayette兴建次世代高频宽存储器(HBM)先进封装制造和研发设施。这项美国首见的计划预计将驱动人工智能(AI)供应链的创新、同时为当地带来上千份工作机会。

SK海力士预期美国厂将在2028年下半年开始量产,新设施还将开发下一代芯片并设立先进封装研发生产线。

普渡大学(Purdue University)校长蒋濛(Mung Chiang)称赞SK海力士是AI存储芯片的全球先驱和市场主导者。

华尔街日报专栏作家Greg Ip周四(4月11日)撰文指出,2000-2017年期间美国半导体制造业就业人数自287,000人缩减至181,000人、随后回升至20万人。电机工程师出身的蒋濛认为、劳动力成本可能不再是美国的一大障碍。

SK海力士执行长(CEO)郭鲁正(Kwak Noh-Jung)受访时表示,美国在可预见的未来都将会是高芯片制造成本地区、特别是在营建和材料领域。他并且说,为了在美国取得成功,SK海力士必须拥有数百名非常优秀的工程师来运作先进封装制造工厂。

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