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《华尔街日报》周五 (5 日) 援引知情人士消息报导，三星电子计划将德州半导体投资的金额提高逾一倍，达到约 440 亿美元，此举为美国寻求生产更多世界尖端芯片的重大突破。 报导指出，三星计划在目前位于德州奥斯汀 (Austin) 近郊泰勒市 (Taylor) 半导体工厂盖新厂，预估建厂成本超过 200 亿美元。据悉，三星将于 4 月 15 日在新厂预定地召开记者会，宣布这笔扩大投资案。 据了解，三星的新投资将集中在德州泰勒市，包含一座新的芯片制造工厂，以及一座进行先进封装和研发的设施。三星原先是在两年多前，宣布在德州泰勒市投资 170 亿美元设厂，距离奥斯汀的现有三星工厂不远。 三星已在前年开始动工打造位于泰勒市的首座晶圆厂，预估最快今年量产。受通膨与其他因素影响，该座晶圆厂的成本已攀升，需要额外投资数十亿美元，而第二座晶圆厂可能要耗资逾 200 亿美元，两座晶圆厂的具体投资金额可能会依情况而有所改变。 拜登政府正利用激励措施和政策支持，试图让全球芯片制造商在美国本土建厂。外媒今年 3 月报道称，美国政府计划向三星提供 60 多亿美元的资金，帮助其在得州扩大原先宣布的建厂计划。 对于上述报导，三星和商务部皆拒绝置评。 |
