|
据悉，台积电将会在2nm工艺上采用GAA FET(全环绕栅极晶体管)，取代finFET (鳍式场效应晶体管)。目前三星为了和台积电竞争，做法比较激进，将会在3nm工艺就用上GAA技术。而台积电为了提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本，保守的选择finFET技术生产3nm工艺芯片。 台积电2nm之后的更先进制程将进入埃米（angstorm）时代，业界预期，台积电后续将推进到18埃米（1.8nm），但尚未决定设厂地点。设备业者评估，台积电2nm需求强度若优于预期，竹科用地不足，将可能转赴台中建立2nm及18埃米等先进制程晶圆厂，中科二期用地已纳入考虑。 |
