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氮化镓功率器件介绍-高频高效率应用

作者:执云 | 时间:2017-9-20 12:57:22 | 阅读:2708| 显示全部楼层
第一代半导体材料以硅、锗为主,第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为主,从上世界五六十年代以来,两代半导体材料为工业进步、社会发展做出了巨大贡献。如今,以SiC、GaN、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料以更大的优势力压第一、二代半导体材料成为佼佼者,统称第三代半导体材料。

第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,更高的击穿电场,更高的热导率,更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev),亦称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是SiC和GaN半导体材料。

上世纪90年代之后,GaN进入快速发展时期,年均增长率达到30%,日益成为大功率LED的关键性材料。此后,GaN也同SiC一起,进军功率器件市场。2012年,GaN市场中仅有两三家器件供应商,2013年以来,陆续有很多公司推出新产品,整体市场空间得到了较好扩充。

氮化镓功率器件介绍-高频高效率应用.pdf (11.8 MB, 下载次数: 11)
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大神点评1

master595 发表于:2017-10-19 20:06:19
学习了,材料科学基础确实是先进技术的体现。
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