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芯片工艺

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    发表于 2019-6-4 14:00:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
    芯片工艺也称硅片工艺,是将器件做在半导体基片上的过程。硅片工艺可分为7个基本工艺。
    1、氧化
    氧化是使硅原子与氧结合,成为SiO2 ,即变成硅氧化物。这个氧化膜用作元件件隔离、栅氧化膜、杂质扩散用掩摸和硅表面保护膜等。
    2、扩散
       扩散是指杂质从浓度高处向低处流动(扩散)所引起的现象。扩散由杂质、温度、物质决定的扩散系数来规定。一般,硅片工艺中作为掺杂原子的常用磷(P)、砷(As)、硼(B)。向硅片扩散磷、砷杂质时,可使硅片成为n型,而扩散硼杂质时,将成为p型。
    3、离子注入
       半导体器件制作中,精确地控制硅片掺杂的杂质浓度对于取得器件预期的特性是非常重要的。作为另一种掺杂方法,就是被广为应用的能够精密控制的离子注入法,当然,它比前述的扩散法的工艺成本要高。
    4、光刻
       光刻就是根据照相原理将掩模版的图形忠实地转写到硅片上的技术。硅片工艺里,要求形成高精度的微细图形的技术,光刻就是一项以进行微细图形加工为中心的工艺技术。
    5、腐蚀
       腐蚀是利用化学或物理方式对氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜等进行刻蚀加工的工艺。刻蚀分为使用腐蚀液的湿法刻蚀和采用原子游离基、分子游离基以及离子等的干法刻蚀二种方法。
    6、CVD
       CVD(化学气相淀积)是Chemical Vapor Deposition的缩写。这是基于气体原料的硅基片上的催化反应,如降雪似地淀积在硅片上成膜的方法。
    7、金属化工艺
       所谓金属化工艺是指在半导体基片上形成元件相互间以及元件与外部之间的电气连接用金属膜的工艺。金属膜形成有真空蒸发、电子束蒸发等蒸发方法以及CVD法、溅射法等,而在LSI中大多采用溅射法。

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