搜索
 找回密码
 立即注册

简单一步 , 微信登陆

【芯周报】半导体产能短缺将从今年底起分阶段缓解

分类:市场动态 | 时间:2022-7-21 18:30 | 阅读:105

摘要: 澳盛银经济研究团队最新研究报告显示,半导体的周期已走过顶点,半导体产能同比增长估计在2022年达到9~16%,由于库存指标已到均衡点,短缺问题已得到缓解,产能增速在2023年将放缓至4~8%。 ...
1、一季度全球电子系统设计业收入同比增长12.1%,创下历史新高
SEMI旗下的电子系统设计联盟近日发布市场统计报告,显示全行业营收今年一季度达到35.405亿美元,同比增长12.1%,创出历史新高。根据报告所划分的产品和应用类别:IC物理设计和验证当季营收下降7.5%至6.312亿美元;PCB和多芯片模组(MCM)当季营收增长1.4%至2.933亿美元;半导体IP当季营收增长23.7%至13.765亿美元等等。从区域上看,美洲地区依然是该行业最大市场,今年一季度市场规模达到15.227亿美元,同比增长18.5%,除日本以外的亚太地区市场一季度体量为13.203亿美元,同比增速13.2%。

2、海关总署:6月集成电路进口量同比下滑8.3%
据海关总署日前发布的6月全国进口重点商品量值表显示,当月我国进口集成电路476.6亿个,进口金额折合人民币2408亿元,较去年同期519.8亿个的进口量同比下降8.3%,进口金额则基本持平。今年上半年(1-6月累计)我国集成电路进口量合计3122.9亿个,同比下滑10.4%,累计进口金额则较去年同期增长5.5%。

3、分析师:半导体产能短缺将从今年底起分阶段缓解
随着全球经济和政治的不确定性持续,关于半导体行业是否已经走到一个阶段性周期拐点成为备受关注的议题。澳盛银经济研究团队最新研究报告显示,半导体的周期已走过顶点,半导体产能同比增长估计在2022年达到9~16%,由于库存指标已到均衡点,短缺问题已得到缓解,产能增速在2023年将放缓至4~8%。

4、Trend Force:今年车用SiC功率元件市场规模可望突破10亿美元
为进一步提升电动汽车动力性能,全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC(碳化硅)功率元件,并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。市调机构TrendForce在最新预测报告指出, 随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术,预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元,至2026年将攀升至39.4 亿美元。

5、Trend Force:供应链库存积压,第三季度NAND Flash价格跌幅扩大至8%-13%
TrendForce集邦咨询发布报告称,由于供需未见好转,第三季度NAND Flash价格跌幅将扩大至8%-13%,且跌势可能将延续至第四季度。NAND Flash产出及制程转进持续,下半年市场将持续供过于求,PC、电视与智能手机等消费性电子下半年旺季不旺已成市场共识,物料库存水位持续上升将为供应链带来风险。

6、ASML:全年营收成长预期由20%下修至10%
半导体设备制造商ASML发布新闻稿,将全年营收成长预期由20%下修约为10%。此外,由于预计在2022年剩余时间内快速发货的数量增加其收入将推迟到2023年,约为28亿欧元。考虑到这种延迟营收入帐与增加产能相关的额外成本以及某些通膨趋势,预计2022年全年毛利率将在49%至50%之间。

7、中信证券:看好未来1-2年半导体设备行业发展
中信证券研报认为,产能扩张+国产替代积极推进,看好未来1-2年半导体设备行业发展。在行业景气持续、国产替代深入背景下,半导体设备公司持续有基本面业绩支撑。建议优先选择赛道空间大、产品布局全面、技术实力较强的龙头设备厂商,以及份额尚低、受益国产替代有望快速成长的细分赛道成长型企业。

8、2022全球IT硬件支出萎缩,服务器市场逆势成长
研究机构Gartner近日更新其对2022全年IT市场展望,预测今年全球IT支出总额将增长3%至4.5万亿美元,但由于个人电脑、平板电脑、打印机等支出萎缩,IT硬件支出将萎缩至7678亿美元,同比下滑5%。不过Gartner指出,企业上云潮流下,云计算领域支出增速今年有望达到22.1%,较去年18.4%的水平进一步加速,这也带动了对服务器硬件的需求,预计今年服务器硬件支出将增长16.6%,数据中心系统的总体支出今年也有望实现11.1%增速,在几大细分业务中位居第一。

9、深圳发布加快推进5G全产业链高质量发展若干措施
近日,深圳市政府最新印发的《深圳市加快推进5G全产业链高质量发展若干措施》特别提出,充分发挥深圳5G产业链优势和5G基础设施规模效应,突破产业发展瓶颈,推动5G赋能各行业,将深圳打造成为5G网络能效优质、5G产业链完备、5G应用创新标杆城市,推动深圳始终走在5G时代最前列。

10、中科院微电子所新型垂直互补场效应晶体管(CFET)研究取得进展 
中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心殷华湘/吴振华研究团队日前在国际学术期刊发表研究成果,利用DTCO(设计工艺协同优化)工程思想全面探索了互补场效应晶体管(CFET)的器件架构优势。根据该所介绍,CFET结构是对新一代先进制程节点环栅(GAA)晶体管的进一步改进,将不同导电沟道类型的GAA器件在垂直方向进行高密度三维单片集成,从而突破了传统N/P-FET共平面布局间距的尺寸限制,在3纳米以下技术代高密度、高性能集成电路制造技术中是器件创新架构的有力候选者。

刚表态过的朋友 (4 人)

  • 赞

    匿名

  • 赞

    匿名

  • 赞

    匿名

  • 赞

    匿名

来自: 互联网
手机版