南京大学科研团队发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直写和擦除。 ...

日前，来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其它机构的科研团队，发现了迄今为止最佳半导体材料。该材料名为立方砷化硼，它既能为电子和空穴提供高迁移率，又有优良的电导率，而且还具有极高的导热特性。 ...

中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心殷华湘/吴振华研究团队日前在国际学术期刊发表研究成果，利用DTCO（设计工艺协同优化）工程思想全面探索了互补场效应晶体管（CFET）的器件架构优势。 ...

近日，加州大学伯克利分校(UC Berkeley)的研究人员开发出一种新型半导体激光器“BerkSEL”。难得的是，这种激光器实现了光学领域一个难以捉摸的目标：在保持单模发射光的同时，保持放大尺寸和功率的能力。 ...

新兴磁性存储器在127度到零下269度范围内，具有稳定、高效能的资料存取能力，工作温度横跨近400度的多功能磁性存储器是首次被实验验证，未来在量子电脑、航太领域等前瞻应用与产业上潜力强大。 ...

清华新闻网消息称，该项成果的实时超光谱成像芯片是微纳光电子与光谱技术的深度交叉融合，作为光谱技术的颠覆性进展，展示出在实时传感领域的巨大应用潜力，相关成果已进行产业化。 ...

随着无线通信从5G向Beyond 5G（B5G）和6G发展，对于6 GHz以上电磁波频谱的使用国际上还存在争论，有些国家已经将6 GHz全频段授权用于Wi-Fi 6E，而更多的国家在考虑把此频段部分用于蜂窝无线通信（6G）。 ...

在3D-NAND 生产中，美光已经在 96 层和 176 层闪存芯片上占据强势地位。DeBoer 表示，该公司将在 2022 年晚些时候开始增加 232 层闪存的制造规模。这将使该公司在市场上具备明显的领先优势。 ...

该研究报告预计将在2022年完成并提交到SG4全会审核。同时，ITU将对外发布通函，开始征求IMT-2020卫星候选技术。ITU计划在2024年对收到的候选技术开展评估工作，并于2025年完成5G卫星无线电接口的标准建议书。 ...

西部数据计划开始量产162层BiCS6 3D NAND，很可能在今年年底用于PCIe 5 SSD。该公司还在开发具有 200 多层的 NAND，用于数据中心存储、PLC，以及将多个 3D NAND 晶圆粘合在一起以增加层数的方法。 ...

近日，中国科学院金属研究所的科研人员提出了一种光控二极管，通过异质结的设计与构筑，器件获得了新型光电整流特性，光照条件下电流状态实现了由全关态向整流态的转换，进而构筑出首例无需选通器件的光电存储阵列。 ...

5G云测平台采用“APP+云平台”模式，5G云测APP用户主动进行网络速率测试，测试时间、位置、所处无线环境存在不确定性，测试结果仅反映5G云测APP用户实际感知的网络速率。 ...

华为、苹果等采用自研芯片的手机厂商，纷纷推出了“胶水芯片”相关技术。“胶水芯片”是通过先进封装中的异构集成技术，将两个或者多个芯片用堆叠的方式“粘”在一起而形成的芯片。 ... ... ...

据相关报道，中国已研发出首颗“3D封装”芯片，这意味着中国首颗7nm芯片诞生。“3D封装”芯片，泛指台积电芯片生产技术，据数据显示，“3D封装”芯片突破7nm工艺极限，集成了600亿晶体管。在电子品发展行业，“3D封 ...

对标世界一流，攻克“卡脖子”技术，化合积电在我国率先推动金刚石与GaN结合取得实质性突破与进展，现提供GaN on Diamond、Diamond on GaN以及GaN&Diamond键合所需高质量晶圆级金刚石热沉片（生长面表面粗糙度Ra＜1n ...