|
据businesskorea报道，长江存储技术有限公司首席技术官程卫华最近在接受媒体采访时表示，该公司将在今年年底前大规模生产64层3D NAND闪存。
“我们正计划大规模生产。” 程卫华在接受《日经亚洲评论》(Nikkei Asian Review)采访时说。目前，在中国ZF的支持下，长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂。日经解释说，该工厂将大规模生产64层NAND闪存。 在采访中，程卫华只是表示长江存储大规模生产NAND闪存的计划进展顺利，没有任何问题。但他并未正式宣布64层NAND闪存将于今年开始批量生产。 然而，半导体市场专家表示，程卫华暗示当公司实现大规模生产计划后，今年将能够生产64层NAND闪存。 目前，三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。SK海力士在去年完成研发后，开始大规模生产96层NAND闪存。三星计划在今年下半年推出100层NAND闪存。如果长江存储在今年年底前成功批量生产64层NAND闪存，其与三星电子的技术差距将显著缩小至两年左右。 最重要的是，外界担心长江存储进入NAND闪存行业的影响，因为NAND价格的降幅通常比DRAM更大。 一些专家仍然怀疑，长江存储今年能否开始大规模生产64层NAND闪存，因为该公司目前仍无法大规模生产32层NAND 闪存。 但总体而言，与DRAM领域不同，长江存储似乎正在NAND领域取得进展。如果长江存储今年下半年向市场供应64层NAND闪存，中国ZF可能会要求中国智能手机和个人电脑制造商使用国产的NAND闪存。如果出现这种情况，将严重削弱NAND闪存市场。这正是三星、东芝、美光、海力士等NAND闪存制造商所担心的。 |
