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对于逆变器的MOS管应用推荐,少不了这6款场效应管!

作者:LisaRXL | 时间:2022-4-15 16:55:29 | 阅读:1415| 显示全部楼层
通过方正证券最新的研究:2022年逆变器行业深度报告,可知逆变器行业未来已经变得越来越可期了。行业在高速发展的时候,必然是需要把产品的供应链做好,因此对于逆变器MOS管的使用选择,则变得尤为重要。

那么,对于市场上12V、24V、48V的逆变器在MOS管上的使用应该要怎么考虑呢?今天飞虹电子就通过专业的MOS管参数给大家分析下型号以及数量的使用建议。



首先在逆变器的使用中,我们可以常见FHP170N1F4A、FHP80N07、FHP100N07、FHP3205、FHP1404、FHP50N06这6款MOS管,在实际的应用常见是该如何使用呢?

1、24V车载逆变器:FHP170N1F4A场效应管

对于24V车载逆变器我们是建议使用FHP170N1F4A场效应管的,其具体参数为:

具体产品参数,具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100%EAS测试,100%Rg测试,100%DVDS热阻测试,优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。

FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。



2、48V工频逆变器:FHP170N1F4A场效应管

对于48V工频逆变器我们是建议使用FHP170N1F4A场效应管的,其具体参数为:

具体产品参数,具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100%EAS测试,100%Rg测试,100%DVDS热阻测试,优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。

FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。



3、300W/12V输入的逆变器前级:FHP80N07、FHP100N07场效应管

(1)应用FHP80N07场效应管建议需要使用4只,具体参数为:

具有80A、68V的电流、电压, RDS(on) = 8.5mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,内阻低,耐冲击特性好的特点。

FHP80N07的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):80A;BVdss(V):68V。



(2)应用FHP100N07场效应管建议需要使用2只,具体参数为:

具有100A、68V的电流、电压, RDS(on) = 8mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,开关速度快,内阻低,耐冲击特性好。

FHP100N07A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):100A;BVdss(V):68V。



4、500W/12V输入的逆变器前级:FHP100N07、FHP3205、FHP1404场效应管

(1)应用FHP100N07场效应管建议需要使用4只,具体参数为:

具有100A、68V的电流、电压, RDS(on) = 8mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,开关速度快,内阻低,耐冲击特性好。

FHP100N07A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):100A;BVdss(V):68V。



(2)应用FHP3205场效应管建议需要使用4只,具体参数为:

具有130A、60V的电流、电压, RDS(on) = 8mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,开关速度快的特点。

FHP3205的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):130A;BVdss(V):60V。



(3)应用FHP1404场效应管建议需要使用2只,具体参数为:

具有180A、40V的电流、电压, RDS(on) = 3.7mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,低内阻,大功率的特点。

FHP1404的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):180A;BVdss(V):40V。



5、150W/12V输入的逆变器前级:FHP50N06场效应管

(1)应用FHP50N06场效应管建议需要使用2只,具体参数为:

具有50A、60V的电流、电压, RDS(on) = 16mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±25V,内阻低,温升低的特点。

FHP50N06的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):25;VTH(V):2-4;ID(A):50A;BVdss(V):60V。



但在实际使用中还是需要进行测试才能选择最优解,因此建议各类逆变器开发工程师进一步试样。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。

飞虹电子是优质的MOS管研发团队,过程中会有专业的产品工程师与厂家共同维护研发,让企业产品能够得到最优的保障。

选择可替代各类逆变器的型号参数场效应管,飞虹半导体已获得实用专利及发明15项,并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们。


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