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韩国存储大厂SK 海力士26 日宣布，率先业界开始量产12 层堆迭的HBM3E 存储器，达成HBM 产品最大36GB 容量目标。 SK 海力士表示，高频宽存储器(High Bandwidth Memory，HBM) 一种高附加值、高性能的记忆体。与现有DRAM 产品相比，透过垂直互联多个DRAM 芯片，使数据处理速度显著提高，产品按照HBM 第一代（HBM）→第二代（HBM2）→第三代（HBM2E）→第四代（ HBM3）→第五代（HBM3E）顺序开发，HBM3E 是HBM3 的扩展版。 SK 海力士指出，现有的HBM3E 最大容量为24GB，由八颗3GB DRAM 芯片垂直堆迭而成，公司将在2024 年底前向客户提供相关产品，这是继2024 年3 月在业界率先向客户供应八层堆迭HBM3E 记忆体之后，仅时隔六个月再次展现压倒性的实力。
SK 海力士强调，自2013 年全球首次推出第一代HBM (HBM1)，到先前推出第五代HBM (HBM3E ) 后，是唯一开发完成，并能供应全系列HBM 产品的企业。 SK 海力士率先成功量产12 层堆迭的产品，AI 存储器所需要的速度、容量、稳定性等都达全球最高，不仅满足AI 企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK 海力士AI 存储市场的领导者地位。 SK 海力士进一步指出，此新产品的运行速度提高至现有存储器的最高速度9.6Gbps，以搭载四个HBM 的单个GPU 运行大型语言模型(LLM) Llama 3 70B 时，每秒可读取35 次700 亿个整体参数的水准。堆迭12 颗3GB DRAM 晶片，达成与现有的八层堆迭产品相同的厚度，同时容量提升50%。为此，SK 海力士还将单个DRAM 晶片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术(TSV) 技术垂直堆迭。 此外，SK 海力士也解决了在将变薄的芯片堆迭更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进MR-MUF 技术应用到此次产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。 SK 海力士AI Infra 业务社长金柱善表示，再次突破技术壁垒，证明AI 记忆体市场独一无二的主导地位。为了迎接AI 时代挑战，会稳步准备下代记忆体产品，以巩固全球顶级AI 记忆体供应商地位。 |
