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2024 年4 月份，台湾发生地震，导致中国云端服务供应商(CSP) 积极采购高频宽存储器(HBM)，使得该产品的需求旺盛。而此事件现在在半导体市场引发连锁反应，进一步对DRAM 价格和主要制造商的财务表现产生重大影响。 根据韩国媒体BusinessKorea 的报导，2024 年第二季，受台湾地震后的积极采购，使得HBM 需求提升所推动，DRAM 的合约价格上涨了13%~18%。其中，韩国三星在第二季财报会议上宣布，8 层堆迭的HBM3E 产品将于第三季进入量产，12 层堆迭的量产准备工作则是已经完成。该公司还预计，HBM3 和HBM3E 的营收占比将在第三季迅速扩大到10% 左右，然后在第四季达到60%。 报导表示，第二季的财务表现反映了这些市场状况。三星的平均售价(ASP) 成长了17%~19%，DRAM 销售金额成长了22%，达到92.2 亿美元。而SK海力士在HBM3E 取得认证，加上产品出货量提升的推动下，DRAM 销售金额成长38.7%，达到79.1 亿美元。这些公司的获利能力都出现明显成长状态，三星电子的DRAM 营业利益率从第一季的22%，提高到第二季的37%，而SK 海力士则是则从33%，提高到45 %。至于，美光的则是从6.9%，上升至13.1%。
事实上，7 月底包括三星电子、SK 海力士等主要DRAM 制造商都已经结束了与PC 制造商和CSP 的第三季合约价格谈判。合约价格涨幅确定为8%~13%，比先前的预测高出约5 个百分点。根据市场研究及调查机构TrendForce 的最新数据表示，中国CSP 由于担心美国对AI 半导体和记忆体实施新的出口限制动作，自第二季以来已将DRAM 采购量大幅提升，较2023 年同期上升了一倍以上，以进一步确保库存无虞。 TrendForce 分析，供应状况有限也是DRAM 价格上涨的原因之一。主要供应正在优先生产HBM 相关产品，这限制了一般DRAM 的供应。 TrendForce 指出，三星已开始生产HBM3E 晶圆，以确保在通过辉达HBM3E 认证后能立即供货。另外，这动作可能会影响2024 年下半年的DDR5 生产计划。甚至，SK 海力士和三星电子优先生产HBM，而不是DDR5，这使得未来几季的DRAM 价格都不太可能下降。 报导进一步强调，存储产品的需求预计将在第三季继续推动DRAM 价格上涨。三星先前宣布，8 层堆迭的HBM3E 产品将于第三季进入量产，进一步凸显了生产向高频宽记忆体解决方案倾斜的状态。该公司对HBM3 和HBM3E 的战略重点也将对其营收占比产生重大影响。根据三星本身的预期，HBM 相关产品的营收占比，第三季将快速扩张至10% 左右，第四季将成长至60%。 |
