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铠侠和西部数据正研究300层3D NAND,并将展示210层8-Plane 3D NAND

分类:新技术 | 时间:2023-5-6 11:55 | 阅读:677

摘要: 通过MILC技术,在超过300层的垂直存储孔中,形成14微米长的类通心粉硅通道。据报道,这种实验性3D NAND还利用尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷,从而提高单元阵列性能。 ...
据外媒报导,铠侠和西部数据计划2023年VLSI技术和电路研讨会上,展示3D NAND技术创新。


两家公司的工程师正在寻求实现8-Plane的3D NAND,以及超过300层的3D NAND。来自铠侠的论文(C2-1),介绍了一种8-Plane的1Tb 3D TLC NAND,拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O传速,与铠侠/西部数据推出的218层1Tb 3D TLC NAND非常相似,具备17Gb/mm²密度和3.2GT/s I/O总线,但它是8-Plane而不是4-Plane,并且据说可提供205MB/s的Program Throughput以及40μs的读取延迟,这明显优于铠侠128层3D NAND的56μs延迟。

除了研究8-Plane的3DNAND结构外,研究人员还将提交关于300层3DNAND的论文(T7-1),Highly Scalable Metal Induced Lateral Crystal lization(MILC) Techniques for Vertical silicon Channel in Ultra-High(300Layers)3D Flash Memory。文中表示,为实现这一目标,两家公司计划采用金属诱导横向结晶(MILC)技术。通过MILC技术,在超过300层的垂直存储孔中,形成14微米长的类通心粉硅通道。据报道,这种实验性3D NAND还利用尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷,从而提高单元阵列性能。

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