当前 DRAM 价格飙升态势毫无降温迹象,全球芯片产业链已出现显著异动。据中国台湾《工商时报》10月8日报道,韩国三星、SK 海力士及美国美光等头部 DRAM 制造商,近期已集体暂停新订单报价达一周之久。这一罕见操作被业内解读为 “供需失衡下的价格试探”—— 厂商试图通过暂停报价观察买家接受度,为后续进一步提价铺路,凸显市场供应端的紧张程度已达临界点。 供应链消息人士透露,第四季度 DDR4 合约价涨幅预期已大幅上调,普遍预计将突破 30%,部分高频、大容量型号(如 DDR4-3200 16GB)涨幅甚至可能超过 50%。受此传导效应影响,作为存量市场主力的 DDR3 产品价格也出现联动上涨苗头,老旧设备升级及工业控制领域的刚性需求成为推动因素。 更值得警惕的是,《商业时报》援引行业分析报告指出,未来三个季度(2025Q4-2026Q2)DDR4 供应缺口将持续扩大,预计缺口比例将达到 10%-15%。除晶圆产能不足外,后端封装测试环节的产能瓶颈进一步加剧供应压力,部分代工厂交货周期已从常规 4 周延长至 8 周以上。在此背景下,DRAM 厂商的报价策略也发生根本性转变:报价有效期从传统的一个季度缩短至不足一个月,部分厂商甚至启动 “周度调价机制”,市场价格波动性显著增强。 业内资深人士直言,此次 DRAM 涨价已从 “局部型号短缺” 升级为 “全系列结构性短缺”,价格上涨周期将至少延续至 2026 年第一季度。据测算,2025 年第四季度至 2026 年第一季度期间,DDR4 合约价将再迎一轮 30%-50% 的涨幅,届时主流型号价格可能较 2025 年初翻倍。 传统内存与 NAND 闪存同步告急,结构性短缺成行业痛点 除 DRAM 外,传统内存及 NAND 闪存市场同样陷入供应紧张。在 NOR Flash 领域,受物联网设备、可穿戴产品及汽车电子需求强劲拉动,市场供需关系持续失衡。《商业时报》数据显示,第四季度 NOR Flash 价格预计将再涨 5%-10%,其中小容量(128Mb 及以下)产品因工业领域需求旺盛,涨幅可能突破 15%。 NAND 闪存市场虽未出现全面涨价,但供应端已显现紧张信号。据产业链消息,存储芯片巨头 SanDisk 正与中国台湾力积电紧急协商新增产能事宜,试图锁定 2026 年上半年的晶圆代工额度,这一动作被视为市场供应趋紧的重要预警。目前 NAND 闪存市场虽仍以去库存为主,但部分特定规格产品(如企业级 SSD 用 3D NAND 芯片)已出现交货延迟现象。 行业分析指出,此次多品类存储产品同步短缺的核心原因,在于头部厂商的产能战略转移:三星、SK 海力士、美光等企业均在大幅缩减传统 DRAM(DDR4/DDR3)及 NOR Flash 产能,将资源集中投向高附加值的 HBM(高带宽内存)产品。据统计,2025 年全球 HBM 产能占比已从 2024 年的 5% 提升至 12%,而传统 DRAM 产能则同比下降 8%,直接导致存量市场供需关系严重失衡。 内存模组厂商跟进暂停报价,市场恐慌情绪升温 DRAM 及 NOR Flash 的供应短缺已向上游传导至内存模组环节。中国台湾两大模组厂商 —— 全球第二大内存模组厂威刚科技、台湾本土第二大模组厂十铨科技,近期均宣布暂停新订单报价,这是自 2017 年内存超级周期后,近八年来首次出现头部模组厂商集体暂停报价的情况。 威刚科技董事长陈晓东在 10 月 7 日的内部会议中明确表示,2025 年第四季度将成为 “内存市场超级牛市的起点”,同时也是 “全球性短缺的开端”,预计整个行业的繁荣周期将延续至 2026 年。为应对短缺,威刚已宣布将 “暂停接单” 期限延长至 10 月中旬,核心目的在于优先保障长期合作大客户的供货,并通过库存管控调整产品分配策略,避免渠道端出现断供。 十铨科技则透露,由于上游 DRAM 芯片供货持续收紧,公司库存消耗速度远超预期,在西方圣诞消费电子旺季来临前,不得不暂停报价以评估市场供需变化。据了解,目前十铨科技的 DRAM 库存周转天数已从常规的 45 天降至 20 天以下,部分热门型号库存已接近耗尽。 业内人士分析,模组厂商集体暂停报价将产生两大关键影响:一方面,进一步强化市场对 “价格持续上涨” 的预期,可能引发下游客户(如 PC 品牌、服务器厂商)的 “恐慌性备货”,反而加剧短期供应压力,形成 “涨价 - 抢购 - 更短缺” 的恶性循环;另一方面,暂停报价本质上是 “价格停摆” 而非 “供货中断”,厂商通过延迟交易等待更优定价,将进一步推高市场整体价格中枢。目前全球内存产业链正密切关注 10 月下旬的报价重启情况,其定价水平将成为判断后续市场走向的关键风向标。 |