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韩国三星电子近日释出市场警讯，暗示其最新一代高频宽内存（HBM），即HBM3E 产品的价格可能面临下滑压力。三星表示，因为当前市场供给成长速度预计将超越需求成长趋势，导致供需关系发生变化。而市场分析也指出，除了整体市场供需预期转变外，三星自身为推动HBM3E 的12 层堆叠产品给主要客户，其所采取的积极价格策略，也被视为影响市场价格走势的重要因素。 根据ZDnet Korea 的报导，三星在近期第二季财报会议上的公开声明，该公司明确指出，就HBM3E 产品而言，由于供给成长速度预计将超越需求增长，因此预期供需关系将发生变化。三星进一步预测，在可预见的未来一段时间内，这项变化将对市场价格产生影响。这项声明不仅揭示了对HBM3E 未来价格趋势的看法，更深入探讨了其对公司整体利润结构的潜在冲击。 另外，三星也评估指出，考量到传统DRAM 价格预计将在下半年呈现上涨趋势，HBM3E 与传统DRAM 之间的利润差距将可能急剧缩小。这代表着HBM3E 做为新一代高端内存的独特高利润优势，可能因市场供需变化而面临挑战。
事实上，HBM3E 采用的是最先进的第五代高频宽内存技术。而根据当中DRAM 堆叠层数的不同，HBM3E 可分为8 层和12 层两种主要型态。在全球领先的科技代厂中，例如英伟达（Nvidia）和超微（AMD）等公司纷纷推出最新型人工智能（AI）芯片的背景下，市场对HBM3E 的12 层堆叠产品内存的需求在2025 年预计仍将呈现显著成长。这显示HBM3E 在驱动高性能AI 运算方面扮演着不可或缺的角色，尤其12 层堆叠的产品因其更高的频宽和容量，市场供不应求情况持续。 不过，尽管市场对HBM3E 12 层堆迭产品存在强劲需求，三星仍对HBM3E 可能出现供给过剩的可能性表示关切，并强调需要制定获利最佳化的营运策略以应对。业界普遍认为，三星的此番表态，不仅反映了其对市场的谨慎评估，也将主要竞争对手如SK 海力士（SK Hynix）和美光（Micron）等公司，正积极量产HBM3E 12 层堆产品的事实纳入考量。这显示HBM3E 市场正逐步走向竞争白热化阶段，各主要供应商都在积极扩大产能，以争夺市场占有率。 市场人士分析，三星当前所采取的攻击性HBM3E 行销策略也将对市场产生重大影响。其中，三星电子针对英伟达的HBM3E 12 层堆叠产品的产品化进度出现延迟的情况下，三星已向英伟达提出了包括价格调降在内的多种合作方案。这些动作代表三星正积极透过价格策略，进一步加速其HBM3E 12 层堆叠产品的市场渗透和产品化过程。 报导强调，三星能否成功供货给关键客户，将直接影响HBM 市场的未来变化。 这句话突显了三星与主要客户的合作成功与否，对于整个HBM 市场的格局和定价策略也将产生深远的影响。若三星能够透过其策略成功推动HBM3E 12 层堆迭产品的广泛商品化，可能会进一步加剧市场竞争，促使整体价格走向更具弹性的调整。 总体而言，三星电子对于HBM3E 价格可能下滑的预警，不仅是基于对宏观供需关系的判断，也反映了其在激烈市场竞争中，为确保自身产品商业化成功所采取的积极策略。随着HBM3E 12 层堆迭版本在AI 加速器领域的需求日益成长，供应商之间的产能扩张和价格竞争将更加激烈。 |
