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研调机构TrendForce 22日表示，受惠位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM、QLC 等高附加价值产品崛起，预估DRAM 及NAND Flash 产业今年营收年增幅分别达75% 和77%，2025 年也将维持成长趋势并创新高，年增幅分别为51%、29%，并进一步推动资本支出回温。 TrendForce 指出，DRAM 营收成长有四大因素，包括HBM 崛起、一般型DRAM 产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏，其中，HBM 较一般型DRAM 价格更高，也拉升位元需求，预估HBM 今年将贡献DRAM 位元出货量5%、营收20%。 TrendForce 估计，受惠DRAM 均价在2024 年增加53%、2025 年增加35% 的条件下，进一步推升2024 年DRAM 营收达907 亿美元、年增75%，2025 年达1,365 亿美元、年增51%。 NAND Flash 方面，TrendForce 预估，今年NAND Flash 营收将达674 亿美元、年增77%，2025 年在大容量QLC Enterprise SSD 崛起、智能手机采用QLC UFS、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏等四大因素带动下，NAND Flash 营收将达870 亿美元、年增29%。 另外，北美云端服务业者已开始在推论用AI 服务器大量采用QLC enterprise SSD，尤其是大容量规格，也带动QLC 占整体NAND Flash 比重提高，今年占NAND Flash 位元出货量约20%，明年比重估再进一步提升。 智能手机方面，QLC 预计逐步渗透UFS 市场，部分中国智能手机业者预计今年第四季起采用QLC UFS 方案，苹果则预计2026 年开始导入至iPhone。 TrendForce 表示，存储产业营收创纪录下，原厂将有足够现金流加速投资。预估2025 年DRAM、NAND Flash 产业资本支出分别年增25%、10%，且有机会上修。 DDR5 和LPDDR5/5X 等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。 TrendForce 估计，DDR5 将分别贡献2024、2025 年server DRAM 位元出货量40%、60-65%，LPDDR5/5X 会贡献2024、2025 年mobile DRAM 位元出货量50% 和60%。 此外，存储生产规模提升将带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，但相反的，存储器价格上涨将增加电子产品成本，ODM/OEM 业者较难完全将成本反映在零售价上，利润势必将被压缩，终端销量也可能受到压抑，导致需求下滑。 |
